Klíčová slova
simulace polovodičových struktur, modelování polovodičových prvků, extrakce parametrů modelu, semiconductor structures simulation, semiconductor devices modeling, model parameters extraction

Klíčová slova anglicky
Neuvedeno.

GA102/03/0720

čeština

Recman Milan, Ing., CSc. - hlavní řešitel
Horák Michal, RNDr., CSc. - spoluřešitel

Ústav mikroelektroniky
- odpovědné pracoviště (1.1.1989 - nezadáno)
Ústav mikroelektroniky
- příjemce (2.4.2002 - 31.12.2005)

RECMAN, M. Early Access Tools - Integration of TCAD Tools and Fabrication. In Electronic Devices and Systems 2003 - Proceedings. Brno: Novotný-Brno, 2003. 6 p. ISBN: 80-214-2452-4.
Detail

RECMAN, M. HSPICE Statistical Modeling. In Proceedings of the Socrates Workshop 2003. Brno: Novotný-Brno, 2003. 7 p. ISBN: 80-214-2461-3.
Detail

RECMAN, M. CMOS Circuits Fault Simulation. In Proceedings of the Socrates Workshop 2003. Brno: Novotný-Brno, 2003. 7 p. ISBN: 80-214-2461-3.
Detail

RECMAN, M. Diode Model Parameters Extraction. In Socrates Workshop 2004. Intensive Training Programme in Electronic. 2004. 6 p. ISBN: 80-214-2819-8.
Detail

RECMAN, M. HSPICE Model Parameters Extraction. In Proceedings of the Socrates Workshop 2003. Brno: Novotný-Brno, 2003. 5 p. ISBN: 80-214-2461-3.
Detail

RECMAN, M. Propojení strukturního a elektrického simulátoru. In 18th International Microworkshop 2004. Sborník. 9. až 11.6.2004 Rožnov. 2004. 7 s. ISBN: 80-214-2818-X.
Detail

Odpovědnost: Recman Milan, Ing., CSc.