Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikačního výsledku
RECMAN, M.
Originální název
HSPICE Statistical Modeling
Anglický název
Druh
Stať ve sborníku v databázi WoS či Scopus
Originální abstrakt
Since the active elements are fabricated during a common sequence of processing steps, the values of these elements are correlated. The active devices such as bipolar transistors must be completely statistically characterized to account for the model parameter interdependencies. The contribution aims to give the fundamental steps included in HSPICE active device statistical characterization. The modeling of correlations between the crucial bipolar transistor model parameters for forward active region is presented. The synthesis of correlated model including saturation current, forward beta and Early-effect parameter is described.
Anglický abstrakt
Klíčová slova
circuit simulation, semiconductor device modeling, statistical model, transistor modeling
Klíčová slova v angličtině
Autoři
Vydáno
01.01.2003
Nakladatel
Novotný-Brno
Místo
Brno
ISBN
80-214-2461-3
Kniha
Proceedings of the Socrates Workshop 2003
Strany od
136
Strany počet
7
BibTex
@inproceedings{BUT9405, author="Milan {Recman}", title="HSPICE Statistical Modeling", booktitle="Proceedings of the Socrates Workshop 2003", year="2003", pages="7", publisher="Novotný-Brno", address="Brno", isbn="80-214-2461-3" }