Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
prof. RNDr.
CSc.
FSI, ÚFI – ředitel ústavu
+420 54114 2707sikola@fme.vutbr.cz
Odeslat VUT zprávu
2016
BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; ŠIKOLA, T. Příprava vzorků pro testování rozlišení. Brno: 2016. s. 1-14. Detail
2005
BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; URBÁNEK, M.; MACH, J.; SPOUSTA, J.; DITTRICHOVÁ, L.; SOBOTA, J.; BOCHNÍČEK, Z.; ŠIKOLA, T. Depth Profiling of Ultrathin Films and Their Multilayers by DSIMS. 1. Manchester: 2005. p. 178-178. Detail
BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; URBÁNEK, M.; MACH, J.; SPOUSTA, J.; DITTRICHOVÁ, L.; SOBOTA, J.; BOCHNÍČEK, Z.; ŠIKOLA, T. Depth Profiling of Ultrathin Films and Their Multilayers by DSIMS. 1. Seville: 2005.Detail
BONAVENTUROVÁ - ZRZAVECKÁ, O.; BRANDEJSOVÁ, E.; ČECHAL, J.; POTOČEK, M.; NEBOJSA, A.; NAVRÁTIL, K.; ŠIKOLA, T.; HUMLÍČEK, J. UV in-situ degradation of PMPSi analysed by spectroscopic ellipsometry, XPS and TDS. 1. Vienna: 2005. p. 294-294. Detail
ČECHAL, J.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. A Study of Gallium Growth on Si(111) 7x7 by SRPES. 1. Vienna: 2005. p. 259-259. Detail
SPOUSTA, J.; URBÁNEK, M.; NEUGEBAUER, P.; ŠIKOLA, T.; NAVRÁTIL, K. UV-VIS Areal Reflectometry. 1. Vienna: 2005. p. 111-111. Detail
KOLÍBAL, M.; PRŮŠA, S.; PLOJHAR, M.; BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; TOMANEC, O.; MARKIN, S.; BAUER, P.; ŠIKOLA, T. In situ Analysis of Ga-ultra Thin Films by TOF-LEIS. 1. Seville: 2005.Detail
KOLÍBAL, M.; PRŮŠA, S.; TOMANEC, O.; POTOČEK, M.; ČECHAL, J.; KOSTELNÍK, P.; PLOJHAR, M.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; MARKIN, S.; BAUER, P.; ŠIKOLA, T. Application of ToF LEIS for Monitoring the growth and thermal treatment of Ga ultrathin films. 1. Vienna: 2005. p. 191-191. Detail
VOBORNÝ, S.; MACH, J.; POTOČEK, M.; KOSTELNÍK, P.; ČECHAL, J.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. Analysis of GaN Ultrathin Films grown by Direct Ion Beam Deposition. 1. Vienna: 2005. p. 117-117. Detail
*) Citace se generují jednou za 24 hodin.