prof. RNDr.

Tomáš Šikola

CSc.

FSI, ÚFI – ředitel ústavu

+420 54114 2707
sikola@fme.vutbr.cz

Odeslat VUT zprávu

prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc.

Výsledky s dopadem do praxe

  • 2016

    BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; ŠIKOLA, T. Příprava vzorků pro testování rozlišení. Brno: 2016. s. 1-14.
    Detail

  • 2005

    BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; URBÁNEK, M.; MACH, J.; SPOUSTA, J.; DITTRICHOVÁ, L.; SOBOTA, J.; BOCHNÍČEK, Z.; ŠIKOLA, T. Depth Profiling of Ultrathin Films and Their Multilayers by DSIMS. 1. Manchester: 2005. p. 178-178.
    Detail

    BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; URBÁNEK, M.; MACH, J.; SPOUSTA, J.; DITTRICHOVÁ, L.; SOBOTA, J.; BOCHNÍČEK, Z.; ŠIKOLA, T. Depth Profiling of Ultrathin Films and Their Multilayers by DSIMS. 1. Seville: 2005.
    Detail

    BONAVENTUROVÁ - ZRZAVECKÁ, O.; BRANDEJSOVÁ, E.; ČECHAL, J.; POTOČEK, M.; NEBOJSA, A.; NAVRÁTIL, K.; ŠIKOLA, T.; HUMLÍČEK, J. UV in-situ degradation of PMPSi analysed by spectroscopic ellipsometry, XPS and TDS. 1. Vienna: 2005. p. 294-294.
    Detail

    ČECHAL, J.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. A Study of Gallium Growth on Si(111) 7x7 by SRPES. 1. Vienna: 2005. p. 259-259.
    Detail

    SPOUSTA, J.; URBÁNEK, M.; NEUGEBAUER, P.; ŠIKOLA, T.; NAVRÁTIL, K. UV-VIS Areal Reflectometry. 1. Vienna: 2005. p. 111-111.
    Detail

    KOLÍBAL, M.; PRŮŠA, S.; PLOJHAR, M.; BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; TOMANEC, O.; MARKIN, S.; BAUER, P.; ŠIKOLA, T. In situ Analysis of Ga-ultra Thin Films by TOF-LEIS. 1. Seville: 2005.
    Detail

    KOLÍBAL, M.; PRŮŠA, S.; TOMANEC, O.; POTOČEK, M.; ČECHAL, J.; KOSTELNÍK, P.; PLOJHAR, M.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; MARKIN, S.; BAUER, P.; ŠIKOLA, T. Application of ToF LEIS for Monitoring the growth and thermal treatment of Ga ultrathin films. 1. Vienna: 2005. p. 191-191.
    Detail

    VOBORNÝ, S.; MACH, J.; POTOČEK, M.; KOSTELNÍK, P.; ČECHAL, J.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. Analysis of GaN Ultrathin Films grown by Direct Ion Beam Deposition. 1. Vienna: 2005. p. 117-117.
    Detail

*) Citace se generují jednou za 24 hodin.