Výsledky s dopadem do praxe

• 2018

  BÁBOR, P. Komparativní analýza vrstevnatých struktur metodou SIMS. 2018. s. 1 (1 s.).
  Detail

• 2016

  BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; ŠIKOLA, T. Příprava vzorků pro testování rozlišení. Brno: 2016. s. 1-14.
  Detail

• 2005

  KOLÍBAL, M.; PRŮŠA, S.; TOMANEC, O.; POTOČEK, M.; ČECHAL, J.; KOSTELNÍK, P.; PLOJHAR, M.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; MARKIN, S.; BAUER, P.; ŠIKOLA, T. Application of ToF LEIS for Monitoring the growth and thermal treatment of Ga ultrathin films. 1. Vienna: 2005. p. 191-191.
  Detail

  ČECHAL, J.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. A Study of Gallium Growth on Si(111) 7x7 by SRPES. 1. Vienna: 2005. p. 259-259.
  Detail

  BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; URBÁNEK, M.; MACH, J.; SPOUSTA, J.; DITTRICHOVÁ, L.; SOBOTA, J.; BOCHNÍČEK, Z.; ŠIKOLA, T. Depth Profiling of Ultrathin Films and Their Multilayers by DSIMS. 1. Seville: 2005.
  Detail

  KOLÍBAL, M.; PRŮŠA, S.; PLOJHAR, M.; BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; TOMANEC, O.; MARKIN, S.; BAUER, P.; ŠIKOLA, T. In situ Analysis of Ga-ultra Thin Films by TOF-LEIS. 1. Seville: 2005.
  Detail

  VOBORNÝ, S.; MACH, J.; POTOČEK, M.; KOSTELNÍK, P.; ČECHAL, J.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. Analysis of GaN Ultrathin Films grown by Direct Ion Beam Deposition. 1. Vienna: 2005. p. 117-117.
  Detail

  BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; URBÁNEK, M.; MACH, J.; SPOUSTA, J.; DITTRICHOVÁ, L.; SOBOTA, J.; BOCHNÍČEK, Z.; ŠIKOLA, T. Depth Profiling of Ultrathin Films and Their Multilayers by DSIMS. 1. Manchester: 2005. p. 178-178.
  Detail

*) Citace se generují jednou za 24 hodin.