Detail předmětu

Elektronické součástky

FEKT-BPC-EDEAk. rok: 2023/2024

V rámci předmětu si studenti osvojí znalosti z oblastí: Základy fyziky polovodičů. Přechod PN. Polovodičová dioda. Bipolární tranzistor. Unipolární tranzistory. Spínací prvky. Optoelektronické prvky.

Jazyk výuky

čeština

Počet kreditů

3

Vstupní znalosti

Jsou požadovány znalosti na úrovni středoškolského studia.

Pravidla hodnocení a ukončení předmětu

Cvičení odborného základu: 30 bodů; minimum 20 bodů.
Závěrečná zkouška: 70 bodů; minimum 30 bodů.
Přednášky. Cvičení odbornéhon základu.

Učební cíle

Seznámit studenty s vlastnostmi elektronických součástek a jejich použitím a s základní terminologií oboru v angličtině a v češtině.


Na základě znalostí získaných na přednáškách a ve cvičeních odborného základu a jejich ověření při písemné zkoušce je student schopen:
Podrobně popsat mechanismy, které působí na přechodu PN v rovnovážném stavu a při polarizaci přechodu PN v propustném směru a v závěrném směru.
Definovat bariérovou a difúzní kapacitu přechodu PN.
Vysvětlit rovnici ampér-voltové charakteristiky PN přechodu
Vysvětlit činnost přechodu PN v obvodovém zapojení usměrňovače, stabilizátoru napětí, kapacitní diody, fotodiody, luminiscenční diody, řízeného diferenciálního odporu a diodového spínače.
Popsat strukturu bipolárního tranzistoru (BT) a vysvětlit její činnost.
Navrhnout a analyzovat zesilovač s bipolárním tranzistorem a spínač s bipolárním tranzistorem.
Popsat strukturu unipolárního tranzistoru J-FET a vysvětlit její činnost.
Popsat strukturu unipolárního tranzistoru IGFET a vysvětlit její činnost.
Navrhnout a analyzovat zesilovač ve třídě A s unipolárními tranzistory a spínač s unipolárními tranzistory.
Popsat strukturu tyristoru a na náhradním schématu vysvětlit její činnost.
Popsat vlastnosti a triaku a vysvětlit jeho použití.
Definovat princip fázového řízení spínacích prvků.
Popsat mechanismy interakce záření s pevnou látkou.
Definovat fotometrické a radiometrické veličiny.
Popsat uspořádání laserů a zdůvodnit výhody jejich použití.

Základní literatura

BOYLESTAD, Robert L. a Louis NASHELSKY. Electronic devices and circuit theory. 8th ed. Upper Saddle River: Prentice Hall, 2002. ISBN 0-13-094444-0. (CS)
SINGH J. Semiconductor Devices. McGraw-Hill, 1994. ISBN-10 0071139060. (CS)
BOUŠEK J., KOSINA P., MOJROVÁ B. Elektronické součástky. FEKT VUT V BRNĚ, elektronické skriptum, BRNO 2015 (CS)
BOUŠEK J., KOSINA P., MOJROVÁ B. Elektronické součástky: sbírka příkladů. FEKT VUT V BRNĚ, elektronické skriptum, BRNO 2015. (CS)
BOUŠEK J., HORÁK M., Electronic Devices, FEKT VUT V BRNĚ, elektronické skriptum, BRNO 2006 (CS)
EMILIANO R. MARTINS , Essentials of Semiconductor Device Physics, Wiley 2022, ISBN: 978-1-119-88411-8 (CS)

eLearning

Zařazení předmětu ve studijních plánech

  • Program BPC-APE bakalářský, 1. ročník, letní semestr, povinný

  • Program AJEI-H bakalářský

    obor H-AEI , 1. ročník, letní semestr, povinný

Typ (způsob) výuky

 

Přednáška

13 hod., povinná

Vyučující / Lektor

Cvičení odborného základu

13 hod., povinná

Vyučující / Lektor

eLearning