Tento projekt byl spolufinancován se státní podporou Technologické agentury ČR v rámci Programu na podporu aplikovaného výzkumu a experimentálního vývoje EPSILON (2015-2025)
www.tacr.cz
Výzkum užitečný pro společnost.

Detail projektu

Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)

Období řešení: 01.01.2015 — 31.12.2017

Zdroje financování

Technologická agentura ČR - Program na podporu aplikovaného výzkumu a experimentálního vývoje EPSILON (2015-2025)

- plně financující (2015-01-01 - 2017-12-31)

Označení

TH01010419

Originální jazyk

čeština

Řešitelé

Bábor Petr, Ing., Ph.D. - hlavní řešitel

Útvary

Příprava a charakterizace nanostruktur
- příjemce (30.06.2014 - nezadáno)

Odpovědnost: Bábor Petr, Ing., Ph.D.