Student se v rámci bakalářské práce aktivně podílel na realizaci Schottkyho solárních článku s polykrystalickou CVD grafenovou vrstvou. Solární článek by připravován pomocí optické litografii. Dále student sestavil aparaturu pro jejich charakterizaci s automaticky se měnícím zátěžovým odporem. Výše uvedené zařízení v budoucnosti umožní charakterizaci dalších solárních článků. Navíc bylo rozhraní Grafen/Si  obohaceno GaN nanokrystaly za účelem zvýšení účinnosti solárního článku. Práce studenta byla intenzivní, samostatná a snaživá. Proto lze konstatovat, že student splnil zadání a projevoval nadměrný zájem o danou problematiku.

Práce se zabývá velmi zajímavou oblastí využití Schottkyho přechodu v solárních článcích. Hledání alternativních přístupů ke klasické křemíkové technologii je velmi aktuální a žádoucí s ohledem na zvyšování účinnosti článků, snižování jejich ceny a z dalších důvodů. Práce je členěna do teoretické a experimentální části. Teoretická část v souladu se zadáním stručně a přehledně uvádí čtenáře do problematiky Schottkyho přechodu, generování fotonáboje a některých možností charakterizace solárních článků. Ve druhé, experimentální části je nejdříve popsán návrh aparatury pro měření I-V charakteristiky solárních článků, následuje vysvětlení technologického postupu přípravy článků a měření jejich vlastností.
Na našem ústavu vznikly v posledních 4 letech nejméně tři bakalářské práce zabývající se pro tyto účely Schottkyho přechodem grafen/křemík. Očekával bych, že se autor o těchto pracích zmíní a uvede svoji práci do kontextu s ostatními. Nalezl jsem pouze jeden odkaz na jednu z předchozích prací.
Bakalářská práce byla komplexní. Od studia literatury student prošel procesem výroby solárního článku v laboratorních podmínkách, realizaci a naprogramování automatizovaného měřícího zařízení na bázi mikrokontroleru Arduino, které podstatně zjednodušuje měření, až k analýze vlastností solárních článků měřením I-V křivek a dále metodami SEM a XPS. Ač to v zadání nebylo uvedeno, student se nezabýval pouze články modifikovanými nitridem gallia. Nejdříve byly testovány "standardní" solární články s Schottkyho přechodem a dále vliv materiálu zadní elektrody (měď vs. hliník). Z celkového počtu čtyř solárních článků byl pouze jeden modifikován krystaly GaN, což může být málo.
Práce je bohužel negativně ovlivněna značným množstvím chyb, převážně překlepů, nebo nepřesných vyjádření (lidový pojem odpor místo rezistoru, elektronový obal materiálu, používání nesprávného názvu gallium nitrid a další). Evidentně zde nebyl použit automatický korektor, který by značnou část chyb nalezl.
V seznamu literatury nemají všechny reference zcela jednotný formát, některé jsou uvedeny malým písmenem či za nimi chybí tečky či dvojtečky.
Všechny cíle však byly splněny, některé experimenty byly provedeny a vyhodnoceny dokonce nad rámec původního zadání. Výsledky a především sestavený a naprogramovaný testovací systém budou mít přínos pro další výzkum v oblasti vývoje solárních článků v laboratoři na ÚFI.
Práce odpovídá požadavkům kladeným na bakalářské práce a proto ji doporučuji k obhajobě. Hodnotím ji stupněm B, především pro značné množství chyb, byť nejsou faktického charakteru. Otázky k obhajobě:

1. Předpokládám, že se autor práce seznámil s výsledky předchozích prací na téma aplikace Schottkyho přechodu v solárních článcích. V předchozích pracích dosahovaly solární články vyšších účinností (až 4.4 %). Z jakého důvodu mají články popisované v bakalářské práci všeobecně nižší účinnost?
2. V práci mi chybí diskuze nad výsledky dosažených experimentů, především jaké jsou možné důvody nefunkčnosti Schottkyho přechodu modifikovaného GaN nanokrystaly?