Tvůrčí aktivity

• ŠIK, O.; MÜNZ, F.; VOBORNÝ, S.; HUBÁLEK, J.: InN MOCVD; Epitaxní vrstva InN nadeponovaná nízkoteplotní aparaturou MOCVD. CEITEC, Research group RG102. URL: http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=140. (funkční vzorek)
  http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=140, počet stažení: 1
  Detail

• ŠIK, O.; VOBORNÝ, S.; MÜNZ, F.; HUBÁLEK, J.: GaN MOCVD; Epitaxní vrstva GaN nadeponovaná vysokoteplotní aparaturou MOCVD. CEITEC, Research group RG102. URL: http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=141. (funkční vzorek)
  http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=141, počet stažení: 1
  Detail

• ŠIK, O.; VOBORNÝ, S.; MÜNZ, F.; HUBÁLEK, J.: GaN MOCVD; Epitaxní vrstva AlN nadeponovaná vysokoteplotní aparaturou MOCVD. CEITEC, Research group RG102. URL: http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=142. (funkční vzorek)
  http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=142, počet stažení: 1
  Detail

• VOBORNÝ, S.; MÜNZ, F.; KOLÍBAL, M.: GaN-Ag; Metal-nitridová vrstva s plazmonickou optickou strukturou. Laboratoř povrchů a tenkých vrstev, Technická 2, A2-518. URL: http://surfaces.fme.vutbr.cz/laboratories/developed-instruments/2019-gan/. (funkční vzorek)
  http://surfaces.fme.vutbr.cz/laboratories/developed-instruments/2019-gan/, počet stažení: 0
  Detail

Pokud je v údajích nesrovnalost, podívejte se do častých otázek k vizitkám.