Epitaxní vrstva GaN nadeponovaná vysokoteplotní aparaturou MOCVD

Epitaxy film of GaN deposited in high-temperature MOCVD aparatus

Funkční vzorek

SEM, XRD, XPS, fotoluminiscenční analýza a elipsometrie epitaxní vrstvy GaN rostlé na safírovém substrátu metodou MOCVD.

SEM, XRD, XPS, Photoluminiscence analysis and Ellipsometry of epitaxy GaN film growth on saphire substrate by MOCVD method.

GaN, epitaxy, SEM, XRD, XPS, Photoluminiscence, Ellipsometry, MOCVD

GaN, epitaxy, SEM, XRD, XPS, Photoluminiscence, Ellipsometry, MOCVD

CEITEC, Research group RG102

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=141