Detail produktu

Epitaxní vrstva GaN nadeponovaná vysokoteplotní aparaturou MOCVD

ŠIK, O. VOBORNÝ, S. MÜNZ, F. HUBÁLEK, J.

Typ produktu

funkční vzorek

Abstrakt

SEM, XRD, XPS, fotoluminiscenční analýza a elipsometrie epitaxní vrstvy GaN rostlé na safírovém substrátu metodou MOCVD.

Klíčová slova

GaN, epitaxy, SEM, XRD, XPS, Photoluminiscence, Ellipsometry, MOCVD

Datum vzniku

30. 12. 2018

Umístění

CEITEC, Research group RG102

Možnosti využití

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Licenční poplatek

Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

www

VUT