Detail aplikovaného výsledku

Epitaxní vrstva InN nadeponovaná nízkoteplotní aparaturou MOCVD

ŠIK, O.; MÜNZ, F.; VOBORNÝ, S.; HUBÁLEK, J.

Originální název

Anglický název

Epitaxy film of InN deposited in low-temperature MOCVD aparatus

Druh

Funkční vzorek

Abstrakt

SEM, XPS a XRD analyza epitaxní vrstvy InN rostlé na safírovém substrátu metodou MOCVD.

Abstrakt aglicky

SEM, XPS and XRD analysis of epitaxy InN film growth on saphire substrate by MOCVD method.

Klíčová slova

InN, epitaxy, SEM, XPS, XRD, MOCVD

Klíčová slova anglicky

InN, epitaxy, SEM, XPS, XRD, MOCVD

Umístění

CEITEC, Research group RG102

Licenční poplatek

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

www

VUT