Epitaxní vrstva AlN nadeponovaná vysokoteplotní aparaturou MOCVD

Epitaxy film of AlN deposited in high-temperature MOCVD aparatus

Funkční vzorek

SEM, XRD, XPS analýza a elipsometrie epitaxní vrstvy AlN rostlé na safírovém substrátu metodou MOCVD.

SEM, XRD, XPS, analysis and Ellipsometry of epitaxy AlN film growth on saphire substrate by MOCVD method.

GaN, epitaxy, SEM, XRD, XPS, Ellipsometry, MOCVD

GaN, epitaxy, SEM, XRD, XPS, Ellipsometry, MOCVD

CEITEC, Research group RG102

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

http://www.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=142