Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikačního výsledku
HORÁK, M.
Originální název
Nanoelectronic device structures at terahertz frequency
Anglický název
Druh
Stať ve sborníku v databázi WoS či Scopus
Originální abstrakt
Potential barriers of different types (rectangular, triangle, parabolic) with a dc-bias and a small ac-signal in the THz-frequency band are investigated in this paper. The height of the potential barrier is modulated by the high frequency signal. If electrons penetrate through the barrier they can emit or absorb usually one or even more energy quanta, thus the electron wave function behind the barrier is a superposition of different harmonics. If the harmonics of the electron current density are known the complex admittance and other electrical parameters of the structure can be found.
Anglický abstrakt
Klíčová slova
Nanoelectronic, terahertz, potential barrier, transmittance, Schrödinger equation
Klíčová slova v angličtině
Autoři
Vydáno
01.07.2003
Nakladatel
Czech Technical University
Místo
Praha
ISBN
80-86059-35-9
Kniha
3rd International conference on Advanced Engineering Design AED 2003
Strany od
F1.2
Strany počet
8