Detail publikačního výsledku

Lokální spektroskopie luminiscence polovodičových struktur

OTEVŘELOVÁ, D.

Originální název

Lokální spektroskopie luminiscence polovodičových struktur

Anglický název

Local luminescence spectroscopy of semiconductor structures

Druh

Stať ve sborníku v databázi WoS či Scopus

Originální abstrakt

Tento článek se zabývá získáním prostorového rozlišení pomocí fotoluminiscence (PL) na vnořených samoorganizovaných kvantových tečkách. Pro rozlišení jednotlivých kvantových teček je použit rastrovací tunelový mikroskop v optickém blízkém poli (SNOM). Takto můžeme získat fotoluminiscenční obrazy skrytých kvantových děr s prostorovým rozlišením lepším než 250 nm. Výsledky jsou nezávislé na použité vlnové délce světelného zdroje. PL intenzita je hlavní složkou pro spojení nepokoveného vláknového hrotu s luminiscenční kvantovou dírou a má exponenciální úbytek se skenovací vzdáleností vzorku. Při vyhodnocování obrazu jsou oddělovány příspěvky PL intenzity blízkého a vzdáleného pole.

Anglický abstrakt

The paper deals with the spatial resolution of the photoluminescence on the burried quantum dots using SNOM. Due to this device on can obtain a resolution better than 250 nm. The results are wavelenght independent. During the study the contributions of far field and near field PL have been separeted.

Klíčová slova v angličtině

local photoluminescence, burried quantum dots, near field optics

Autoři

OTEVŘELOVÁ, D.

Vydáno

23.09.2002

Nakladatel

Spektroskopická společnost Jana Marca Marci

Místo

Praha

Kniha

Metody blízkého pole

ISSN

0009-0700

Periodikum

Československý časopis pro fyziku

Stát

Česká republika

Strany od

37

Strany počet

1

BibTex

@inproceedings{BUT5023,
  author="Dana {Otevřelová}",
  title="Lokální spektroskopie luminiscence polovodičových struktur",
  booktitle="Metody blízkého pole",
  year="2002",
  journal="Československý časopis pro fyziku",
  pages="1",
  publisher="Spektroskopická společnost Jana Marca Marci",
  address="Praha",
  issn="0009-0700"
}