Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikačního výsledku
CHVÁTAL, M.; ŠIKULA, J.; SEDLÁKOVÁ, V.; KNÁPEK, A.
Originální název
Measurements and Theoretical Approximations of VA Characteristics MOSFETs
Anglický název
Druh
Článek recenzovaný mimo WoS a Scopus
Originální abstrakt
Experiments were carried out for n-channel CMOS technology. Electron concentration in the channel decreases linearly from the source to the drain contact. Diffusion current component is independent on the x-coordinate and it is equal to the drift current component for the low electric field. Lateral component of the electric field intensity is inhomogeneous in the channel and it has a minimum value near the source contact and increases with the distance from the source to the drain. It reaches maximum value near the drain electrode.
Anglický abstrakt
Klíčová slova
VA characteristic, MOSFET, electron density, diffusion current, drift current
Klíčová slova v angličtině
Autoři
Rok RIV
2010
Vydáno
02.11.2009
Nakladatel
TYPOservis Holešov
Místo
Masarykova 650 76901 Holešov
ISSN
0447-6441
Periodikum
Jemná mechanika a optika
Svazek
54
Číslo
10
Stát
Česká republika
Strany od
278
Strany do
279
Strany počet
2
BibTex
@article{BUT49126, author="Miloš {Chvátal} and Josef {Šikula} and Vlasta {Sedláková} and Alexandr {Knápek}", title="Measurements and Theoretical Approximations of VA Characteristics MOSFETs", journal="Jemná mechanika a optika", year="2009", volume="54", number="10", pages="278--279", issn="0447-6441" }