Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikačního výsledku
PRŮŠA, S.; KOLÍBAL, M.; BÁBOR, P.; MACH, J.; ŠIKOLA, T.
Originální název
Analysis of thin films by TOF-LEIS
Anglický název
Druh
Článek recenzovaný mimo WoS a Scopus
Originální abstrakt
In the paper the design and application of a TOF-LEIS instrument built into an UHV complex deposition and analytical apparatus is described. A special attention is aimed at demonstrating the ability of TOF-LEIS to analyse near-to-surface layers of thin films prepared both ex-situ and in-situ. Additionally, the monitoring of diffusion processes close to a sample surface by this technique is presented. It is shown that the broadening of peaks in TOF-LEIS spectra can be attributed to multiple scattering and inelastic losses of ions in deeper layers. As a result of that, the peak width of ultrathin films depends on their thickness.
Anglický abstrakt
Klíčová slova
Time of Flight, TOF, Low energy, Ion Scattering, LEIS, Surfaces
Klíčová slova v angličtině
Autoři
Vydáno
01.05.2007
ISSN
0587-4246
Periodikum
ACTA PHYSICA POLONICA A
Svazek
111
Číslo
3
Stát
Polská republika
Strany od
335
Strany do
341
Strany počet
7
Plný text v Digitální knihovně
http://hdl.handle.net/
BibTex
@article{BUT43454, author="Stanislav {Průša} and Miroslav {Kolíbal} and Petr {Bábor} and Jindřich {Mach} and Tomáš {Šikola}", title="Analysis of thin films by TOF-LEIS", journal="ACTA PHYSICA POLONICA A", year="2007", volume="111", number="3", pages="335--341", issn="0587-4246" }