Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikačního výsledku
TOMÁNEK, P.; GRMELA, L.
Originální název
Local optical phenomena in InAs/GaAs heterostructures with quantum dots and artificial molecules
Anglický název
Druh
Článek WoS
Originální abstrakt
Due to a long electron lifetime at the excited levels of quantum dot (QDs), the use of QDs as a basis for new optoelectronic devices is very promising. Inter- and intraband light absorption studies in QDs are useful not only for investigations of photodetectors but they also are the necessary condition of the development of new types of mid-infrared lasers. In the paper the preliminary results of experimental and theoretical studies of the local optical phenomena in n- and p-doped InAs/GaAs QDs and artificial molecules formed by pairs of QDs are presented. The peculiarities in local photoluminescence spectra can be associated with absorption peaks connected with intraband interlevel transitions of electrons and holes between the ground and excited states.
Anglický abstrakt
Klíčová slova
optical phenomena, SNOM, InAs/GaAs, quantum dot, artificial molecule, photoluminescence
Klíčová slova v angličtině
Autoři
Rok RIV
2014
Vydáno
30.08.2005
Nakladatel
Korean Physical Society
Místo
Seoul, South Korea
ISSN
0374-4884
Periodikum
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY
Svazek
47
Číslo
96
Stát
Korejská republika
Strany od
S162
Strany do
S165
Strany počet
4