Detail publikačního výsledku

Application of Complex UHV Apparaturus in a Study of Low-tepmerature Gallium-nitride Ultrathin Film Growth

VOBORNÝ, S.; MACH, J.; ČECHAL, J.; KOSTELNÍK, P.; TOMANEC, O.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T.

Originální název

Application of Complex UHV Apparaturus in a Study of Low-tepmerature Gallium-nitride Ultrathin Film Growth

Anglický název

Application of Complex UHV Apparaturus in a Study of Low-tepmerature Gallium-nitride Ultrathin Film Growth

Druh

Článek recenzovaný mimo WoS a Scopus

Originální abstrakt

Paper deals with the application of Complex UHV Apparaturus in a Study of Low-tepmerature Gallium-nitride Ultrathin Film Growth

Anglický abstrakt

Paper deals with the application of Complex UHV Apparaturus in a Study of Low-tepmerature Gallium-nitride Ultrathin Film Growth

Klíčová slova v angličtině

Ga, GaN, deposition, XPS

Autoři

VOBORNÝ, S.; MACH, J.; ČECHAL, J.; KOSTELNÍK, P.; TOMANEC, O.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T.

Rok RIV

2011

Vydáno

01.01.2004

ISSN

0447-6441

Periodikum

Jemná mechanika a optika

Svazek

9

Číslo

9

Stát

Česká republika

Strany od

265

Strany počet

5

BibTex

@article{BUT42366,
  author="Stanislav {Voborný} and Jindřich {Mach} and Jan {Čechal} and Petr {Kostelník} and Ondřej {Tomanec} and Petr {Bábor} and Jiří {Spousta} and Tomáš {Šikola}",
  title="Application of Complex UHV Apparaturus in a Study of Low-tepmerature Gallium-nitride Ultrathin Film Growth",
  journal="Jemná mechanika a optika",
  year="2004",
  volume="9",
  number="9",
  pages="5",
  issn="0447-6441"
}