Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikačního výsledku
TOMÁNEK, P.; BENEŠOVÁ, M.; DOBIS, P.; OTEVŘELOVÁ, D.; GRMELA, L.; KAWATA, S.
Originální název
Near-field optical diagnostics of carrier dynamics in semiconductor with superresolution
Anglický název
Druh
Článek WoS
Originální abstrakt
Characteristic rate variations of carrier processes are imaged using near-field scanning optical microscopy. We couple both a visible pump and an infrared probe light through a subwavelength aperture to investigate the interband recombination and intraband diffusion of excess carriers in oxidized silicon. Typical values of the locally measured life time constants agree well with those obtained by conventional space-averaged techniques. Moreover, the images locate defects, reveal variations, and can map the regions in which a recombination process is active.
Anglický abstrakt
Klíčová slova
near-field optics, semiconductor, carrier dynamics, superresolution
Klíčová slova v angličtině
Autoři
Vydáno
15.07.2003
Nakladatel
V S V CO
Místo
Moscow, Russia
ISSN
0204-3467
Periodikum
Physics of low-dimensional structures
Svazek
2003
Číslo
3/4
Stát
Spojené státy americké
Strany od
131
Strany do
137
Strany počet
7
BibTex
@article{BUT41400, author="Pavel {Tománek} and Markéta {Benešová} and Pavel {Dobis} and Dana {Otevřelová} and Lubomír {Grmela} and Satoshi {Kawata}", title="Near-field optical diagnostics of carrier dynamics in semiconductor with superresolution", journal="Physics of low-dimensional structures", year="2003", volume="2003", number="3/4", pages="131--137", issn="0204-3467" }