Способ получения тонких пленок нитрида алюминия в режиме молекулярного наслаивания

The method of preparation of aluminum nitride thin films by molecular layering

Patent

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а более конкретно, к технологии получения эпитаксиальных пленок нитрида алюминия, и может быть применено в области акусто- и оптоэлектроники. Способ заключается в формировании слоя AlN методом молекулярного наслаивания на сапфировой подложке при температуре до 260°С при использовании прекурсоров триметилалюминия (Al(CH3)3) как источника атомов алюминия и гидразина (N2H4) или гидразин хлорида (N2H5Cl) в качестве азотсодержащего прекурсора с последующим отжигом полученной структуры в атмосфере молекулярного азота при температуре до 1400°С.

The invention relates to the field of micro- and nanoelectronics, and more specifically, to a technology for producing epitaxial films of aluminum nitride, and can be applied in the field of acousto-and optoelectronics. The method consists in forming an AlN layer by molecular layering on a sapphire substrate at temperatures up to 260 ° C. using trimethylaluminum (Al (CH3) 3) precursors as a source of aluminum atoms and hydrazine (N2H4) or hydrazine chloride (N2H5Cl) as a nitrogen-containing precursor followed by annealing the resulting structure in an atmosphere of molecular nitrogen at temperatures up to 1400 ° C.

нитрид алюминя, тонкая пленка, подложка

aluminum nitride, thin film, substrate

2018139626/05(065797)

11.11.2018

02.02.2020

SICLAB Limited Liability Company, Makhachkala, st. M. Yaragskogo 75, Dagestan Republic, 367000, Russia

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

F90iz_2018139626
F01pn_2018139626
F01ref_2018139626