Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikačního výsledku
BIOLEK, D.; BIOLEK, Z.; BIOLKOVÁ, V.; ASCOLI, A.; TETZLAFF, R.
Originální název
About v-i Pinched Hysteresis of Some Non-Memristive Systems
Anglický název
Druh
Článek WoS
Originální abstrakt
A special subset of two-terminal elements providing pinched hysteresis loops in the voltage-current plane with the lobe area increasing with the frequency is analysed. These devices are identified as non-memristive systems and the sufficient condition for their hysteresis loop to be pinched at the origin is derived. It turns out that the analysed behaviour can be observed only for just one concrete initial state of the device. This knowledge is conclusive for understanding why such devices cannot be regarded as memristors.
Anglický abstrakt
Klíčová slova
pinched hysteresis; memristor; inverse memristor; constitutive relation; inductor; capacitor
Klíčová slova v angličtině
Autoři
Rok RIV
2019
Vydáno
24.09.2018
Nakladatel
Hindawi
Místo
USA
ISSN
1024-123X
Periodikum
MATHEMATICAL PROBLEMS IN ENGINEERING
Svazek
2018
Číslo
1
Stát
Spojené státy americké
Strany od
Strany do
10
Strany počet
URL
http://dx.doi.org/10.1155/2018/1747865
Plný text v Digitální knihovně
http://hdl.handle.net/11012/193102
BibTex
@article{BUT150098, author="Dalibor {Biolek} and Zdeněk {Biolek} and Viera {Biolková} and Alon {Ascoli} and Ronald {Tetzlaff}", title="About v-i Pinched Hysteresis of Some Non-Memristive Systems", journal="MATHEMATICAL PROBLEMS IN ENGINEERING", year="2018", volume="2018", number="1", pages="1--10", doi="10.1155/2018/1747865", issn="1024-123X", url="http://dx.doi.org/10.1155/2018/1747865" }
Dokumenty
1747865