Testovací prípravok pre analýzu dynamických parametrov GaN tranzistorov.

Test device for GaN transistors dynamic parameters analysis.

Funkční vzorek

Meracia aparatúra s kompenzovaným frekvenčným prenosom (šírkou pásma 100MHz) meria napätie medzi Drain-Source testovaného tranzistora 75ns po prepínacom deji (CCM režim). Výsledkom fuknčného vzorku je potvrdenie existencie Dynamického RdsON na dostupných vzorkách GaN tranzistoroch od rôznych výrobcov. Uvedená vlastnosť súvisí s technologickými problémami pri výrobe GaN tranzistorov.

Frequency compensated measurement circuit (100MHz bandwitdth) is used for voltage measuring between Drain and Source contact of tested GaN transistor sample, 75ns after switching transient (Continous conduction mode). Result of this measuremnet is discovering of Dynamic RdsON on available GaN transistor samples from several different manufacturers. This parameter is related to technical problems during GaN transistor manufacturing process.

GaN, Mosfet, Dynamic RdsON, GaN Half-bridge

GaN, Mosfet, Dynamic RdsON, GaN Half-bridge

Oddelenie výskumu a vývoja spoločnosti Bel Power Solutions.

Využití výsledku jiným subjektem je v některých případech možné bez nabytí licence

http://www.uvee.feec.vutbr.cz/fvzorky