Detail aplikovaného výsledku

Laditelný podprahový bulk-driven transkonduktor pro aplikace s velmi nízkým napájecím napětím

KHATEB, F.; KULEJ, T.; VLASSIS, S.

Originální název

Laditelný podprahový bulk-driven transkonduktor pro aplikace s velmi nízkým napájecím napětím

Anglický název

Tunable subthreshold bulk-driven transconductor for applications with very low supply voltage

Druh

Užitný vzor

Originální abstrakt

Vynález se týká laditelného podprahového bulk-driven transkonduktoru, který pracuje s velmi nízkým napájecím napětím v rozmezí 0,5 V - 0,25 V, s velmi nízkou spotřebou, s rozsahem vstupního napětí rail-to-rail, přičemž hodnota transkonduktance takového bulk-driven transkonduktoru je nastavitelná a laditelná pomocí navrženého řídicího obvodu.

Anglický abstrakt

Vynález se týká laditelného podprahového bulk-driven transkonduktoru, který pracuje s velmi nízkým napájecím napětím v rozmezí 0,5 V - 0,25 V, s velmi nízkou spotřebou, s rozsahem vstupního napětí rail-to-rail, přičemž hodnota transkonduktance takového bulk-driven transkonduktoru je nastavitelná a laditelná pomocí navrženého řídicího obvodu.

Klíčová slova

Bulk-driven MOS

Klíčová slova v angličtině

Bulk-driven MOS

Číslo patentu

29053

Datum přihlášky

24.11.2015

Datum zápisu

12.01.2016

Datum skončení platnosti

24.11.2019

Vlastník

Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ

Licenční poplatek

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

URL

http://spisy.upv.cz/UtilityModels/FullDocuments/FDUM0029/uv029053.pdf