Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikačního výsledku
HORÁK, M.; STÖGER-POLLACH, M.
Originální název
The Čerenkov limit of Si, GaAs and GaP in electron energy loss spectrometry
Anglický název
Druh
Článek WoS
Originální abstrakt
Since the advent of monochromated electron energy loss spectrometry (EELS) the experimental detection of band gaps in semiconducting materials is of great importance. In the non-relativistic limit of this technique the onset of the inelastic signal represents the band gap. But due to relativistic energy losses, like Čerenkov losses and the corresponding light guiding modes, appearing at high beam energies the band gap is usually hidden. The highest beam energy, which does not excite relativistic losses in a certain material, is called the Čerenkov limit of the material. In this work the low loss EELS signals of Si, GaAs and GaP are measured at various beam energies and the calculated Čerenkov limits are experimentally confirmed.
Anglický abstrakt
Klíčová slova
Low voltage EELS; Band gap; Čerenkov radiation
Klíčová slova v angličtině
Autoři
Rok RIV
2016
Vydáno
06.06.2015
ISSN
0304-3991
Periodikum
ULTRAMICROSCOPY
Svazek
157
Číslo
1
Stát
Nizozemsko
Strany od
73
Strany do
78
Strany počet
6
BibTex
@article{BUT115185, author="Michal {Horák} and Michael {Stöger-Pollach}", title="The Čerenkov limit of Si, GaAs and GaP in electron energy loss spectrometry", journal="ULTRAMICROSCOPY", year="2015", volume="157", number="1", pages="73--78", doi="10.1016/j.ultramic.2015.06.005", issn="0304-3991" }