Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikačního výsledku
ELHADIDY, H.; GRILL, R.; FRANC, J.; ŠIK, O.; MORAVEC, P.; SCHNEEWEISS, O.
Originální název
Ion electromigration in CdTe Schottky Metal-Semiconductor-Metal Structure
Anglický název
Druh
Článek WoS
Originální abstrakt
Byly měřeny proudové přechody u struktury Schottkyho struktury kov-polovodič-kov. Vytvořili jsme nový model objas ňující proudový přechod jakožrto důsledek migracie iontových defektů. Byly stanoveny hustoty donorů, akceptorů a difuzní koeficienty iontových příměsí. Model je ověřen měřenním změny odporu materiálu v čase. Byla zaznamenána velmi nízká tendence návratu rezistivity v čase.
Anglický abstrakt
We measured current transients (TC) in Schottky M–S–M (Au–CdTe–Au) structure. We developed a new model to explain TC by electromigration of charged ion defects. The acceptor, donor densities and the diffusion coefficients of ions were extracted. The model is confirmed by measuring the depletion region resistance with time. There was very weak tendency of the sample resistivity to revert to initial conditions.
Klíčová slova
Cdte, schottky contacts, electromigration
Klíčová slova v angličtině
Cdte, Schottkyho kontakty, elektromigrace
Autoři
Rok RIV
2016
Vydáno
01.06.2015
Nakladatel
Elsevier
Místo
Holland
ISSN
0167-2738
Periodikum
SOLID STATE IONICS
Svazek
277
Číslo
27
Stát
Nizozemsko
Strany od
20
Strany do
25
Strany počet
6
URL
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167273815001836
BibTex
@article{BUT114374, author="Hassan {Elhadidy} and Roman {Grill} and Jan {Franc} and Ondřej {Šik} and Pavel {Moravec} and Oldřich {Schneeweiss}", title="Ion electromigration in CdTe Schottky Metal-Semiconductor-Metal Structure", journal="SOLID STATE IONICS", year="2015", volume="277", number="27", pages="20--25", doi="10.1016/j.ssi.2015.04.016", issn="0167-2738", url="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167273815001836" }