Přípravek pro měření radiačních změn teplotní závislosti PMOS tranzistorů

Test jig for evaluation of radiation induced changes of PMOS transistors temperature coefficients

Funkční vzorek

Byl navržen a realizován prototyp poloautomatického testu radiačních změn (degradací) teplotní závislosti prahového napětí PMOS tranzistorů a byly provedeny prvotní úspěšné experimenty. Zatímco měření charakteristiky PMOS probíhalo plně automaticky, teplota tranzistorů byla řízena manuálně. Podařilo se prokázat, že radiace způsobuje výrazné změny teplotních koeficientů tranzistorů a že tyto změny jsou také silně závislé na napájení tranzistorů během jejich ozařování.

A prototype of test jig for evaluation of radiation induced changes of PMOS transistors threshold voltage temperature coefficient has been built and initial successful experiments have been completed. While the transistor characterization is fully automated, the control of transistors temperature is manual. It has been demonstrated that the gamma radiation can induce serious changes to the transistor temperature coefficients and these changes are also a function of the transistor bias voltage during the irradiation.

transistor, MOS, threshold voltage, temperature dependency, gamma radiation

transistor, MOS, threshold voltage, temperature dependency, gamma radiation

168 Maxwell Avenue, Harwell, Oxfordshire, OX11 0QT, United Kingdom

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

http://www.umel.feec.vutbr.cz/vyzkum/vysledky/funkcni-vzorky/