Detail projektu

Electrical measurements and analysis of parameters FET transistors at Cryogenic temperatures Part 3

Období řešení: 01.04.2019 — 01.06.2019

Zdroje financování

Neveřejný sektor - Přímé kontrakty - smluvní výzkum, neveřejné zdroje
- plně financující (2019-04-01 - 2019-06-01)

O projektu

Electrical measurements and analysis of parameters FET transistors at Cryogenic temperatures Part 3

Klíčová slova
cryogenycs, noise

Označení

SR18957069

Originální jazyk

angličtina

Řešitelé

Holcman Vladimír, doc. Ing., Ph.D. - hlavní řešitel

Útvary

Ústav fyziky
- příjemce (09.11.2020 - nezadáno)
SCI LLC-a wholly owned subsidiary of ON Semiconductor
- objednatel (09.11.2020 - nezadáno)

Odpovědnost: Holcman Vladimír, doc. Ing., Ph.D.