Detail projektu

Výzkum a vývoj vysokonapěťových Si diod pro efektivní konverzi vysokých proudových výkonů

Období řešení: 01.01.2018 — 31.12.2020

Zdroje financování

Technologická agentura ČR - Program na podporu aplikovaného výzkumu a experimentálního vývoje EPSILON (2015-2025)

- plně financující (2017-12-20 - 2020-12-31)

Označení

TH03010006

Originální jazyk

čeština

Řešitelé

Útvary

Příprava a charakterizace nanostruktur
- příjemce (15.05.2017 - nezadáno)

Výsledky

BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; KOLÍBAL, M.; ŠIK, O.: Metody kvantitativní analýzy dopantů a vysokonapěťová diagnostika čipů; Metody kvantitativní analýzy dopantů a vysokonapěťová diagnostika čipů. Purkyňova 123, Brno 61200, budova C, laboratore cistych prostor. URL: http://nano.ceitec.cz/. (ostatní)
Detail