Project detail

Výzkum a vývoj vysokonapěťových Si diod pro efektivní konverzi vysokých proudových výkonů

Duration: 01.01.2018 — 31.12.2020

Funding resources

Technologická agentura ČR - Program na podporu aplikovaného výzkumu a experimentálního vývoje EPSILON (2015-2025)

- whole funder (2017-12-20 - 2020-12-31)

Mark

TH03010006

Default language

Czech

People responsible

Bartošík Miroslav, doc. Ing., Ph.D. - fellow researcher
Potoček Michal, Ing., Ph.D. - fellow researcher
Procházka Pavel, Ing., Ph.D. - fellow researcher
Bábor Petr, Ing., Ph.D. - principal person responsible

Units

Fabrication and Characteris. of Nanostr.
- (2017-05-15 - not assigned)

Results

BÁBOR, P.; POTOČEK, M.; KOLÍBAL, M.; ŠIK, O.: Metody kvantitativní analýzy dopantů a vysokonapěťová diagnostika čipů; Metody kvantitativní analýzy dopantů a vysokonapěťová diagnostika čipů. Purkyňova 123, Brno 61200, budova C, laboratore cistych prostor. URL: http://nano.ceitec.cz/. (ostatní)
Detail