Detail projektu

Electrical measurements and analysis of parameters FET transistors at Cryogenic temperatures

Období řešení: 1.6.2015 — 30.9.2015

Zdroje financování

Neveřejný sektor - Přímé kontrakty - smluvní výzkum, neveřejné zdroje

O projektu

Analysis impedance and noise characteristics of the MOS structures during cryogenic conditions

Popis česky
analýza impedančních a šumových charakteristik ve strukturách MOS při kryogenních podmínkách

Klíčová slova
cryogenycs, noise

Klíčová slova česky
kryogenická a šumová měření

Označení

2015_HS18557082

Originální jazyk

angličtina

Řešitelé

Holcman Vladimír, doc. Ing., Ph.D. - hlavní řešitel

Útvary

Ústav fyziky
- odpovědné pracoviště (6.12.2016 - nezadáno)
SCI LLC-a wholly owned subsidiary of ON Semiconductor
- objednatel (31.7.2017 - nezadáno)
Ústav fyziky
- spolupříjemce (1.6.2015 - 30.9.2015)
oddělení-FYZ-SIX
- příjemce (5.11.2015 - nezadáno)

Výsledky

SADOVSKÝ, P.: KJ1; Univerzální komunikační rozhraní. UDT s.r.o., Staňkova 18, 602 00 Brno. URL: http://www.ufyz.feec.vutbr.cz/veda-a-vyzkum/produkty. (funkční vzorek)
Detail

Sustainability. Brno. (workshop studentský)
Detail

Odpovědnost: Holcman Vladimír, doc. Ing., Ph.D.