Detail oboru

Physical Electronics and Nanotechnology

FEKTZkratka: PPA-FENAk. rok: 2013/2014

Program: Electrical Engineering and Communication

Délka studia: 4 roky

Profil

Cílem studia je poskytnout ve všech dílčích zaměřeních doktorské vzdělání absolventům vysokoškolského magisterského studia. Vytvořit interdisciplinární přehled současného vývoje, prohloubit teoretické základy ve zvoleném oboru, zvládnout metody vědecké práce, rozvíjet tvůrčí schopnosti a využít je při řešení vědeckého problému, který vyústí ve vypracování disertační práce přinášející vlastní původní přínos v daném oboru.

Klíčové výsledky učení

Absolvent oboru získá znalosti mezioborového charakteru z technických a přírodovědních disciplin na vysoké teoretické úrovni. Pro další samostatnou výzkumnou a vývojovou práci je vybaven vědomostmi zejména z fyziky polovodičů, kvantové elektroniky, matematického modelování a umí samostatně řešit problematikou spojenou s nanotechnologiemi. Uplatnění najde především jako vědecký pracovník základního nebo aplikovaného výzkumu při tvůrčím zavádění a využívání nových perspektivních a ekonomicky výhodných postupů v oblasti elektroniky, elektrotechniky, nedestruktivního testování spolehlivosti a materiálové analýze.

Profesní profil absolventů s příklady

Absolvent oboru získá znalosti mezioborového charakteru z technických a přírodovědních disciplin na vysoké teoretické úrovni. Pro další samostatnou výzkumnou a vývojovou práci je vybaven vědomostmi zejména z fyziky polovodičů, kvantové elektroniky, matematického modelování a umí samostatně řešit problematikou spojenou s nanotechnologiemi. Uplatnění najde především jako vědecký pracovník základního nebo aplikovaného výzkumu při tvůrčím zavádění a využívání nových perspektivních a ekonomicky výhodných postupů v oblasti elektroniky, elektrotechniky, nedestruktivního testování spolehlivosti a materiálové analýze.

Garant

Vypsaná témata doktorského studijního programu

  1. Přenos záření v termickém plazmatu

    Radiační přenos energie výrazně ovlivňuje fyzikální procesy probíhající v plazmatu, hraje důležitou roli v mnoha zařízeních využívajících plazmové procesy, např. při tvorbě povrchů specifických vlastností, pro syntézu látek, likvidaci škodlivin, plazmovou metalurgii, apod. Cílem práce je pomocí aproximační metody diskrétních ordinát (SN-aproximace) najít řešení rovnice přenosu záření, získané výsledky pro vyzářenou energii a tok záření pro vybrané druhy plazmatu srovnat s již známými výsledky získanými jinými aproximačními metodami (metodou parciálních charakteristik, difuzní aproximací), diskutovat výhodnost a použitelnost jednotlivých výpočetních metod.

    Školitel: Bartlová Milada, doc. RNDr., Ph.D.

  2. RTS šum v nanoelektronických strukturách

    Cílem práce je stanovení parametrů pastí v izolační vrstvě struktur HFET/HEMT na základě analýzy jejich šumových charakteristik, zejména šumu typu RTS (random telegraph noise). Experimentální část práce spočívá v měření teplotní závislosti šumu pomocí heliového kryostatu a studiu amplitudy a střední doby zachycení a emise jako funkce intenzity pole a koncentrace nosičů náboje v kanálu. Tyto výsledky pak budou použity pro zpřesnění generačně-rekombinačního modelu vzniku šumu a lokalizaci pastí.

    Školitel: Pavelka Jan, doc. Mgr., CSc. Ph.D.


Struktura předmětů s uvedením ECTS kreditů (studijní plán)

1. ročník, zimní semestr
ZkratkaNázevJ.Kr.Pov.Uk.Hod. rozsahSk.Ot.
DBM1AAdvanced methods of processing and analysis of signals and imagesen4Volitelný oborovýdrzkS - 39ano
DTK2AApplied cryptographyen4Volitelný oborovýdrzkS - 39ano
DET1AElectrotechnical materials, material systems and production processesen4Volitelný oborovýdrzkS - 39ano
DFY1AJunctions and nanostructuresen4Volitelný oborovýdrzkS - 39ano
DEE1AMathematical Modelling of Electrical Power Systemsen4Volitelný oborovýdrzkS - 39ano
DME1AMicroelectronic Systemsen4Volitelný oborovýdrzkS - 39ano
DRE1AModern electronic circuit designen4Volitelný oborovýdrzkS - 39ano
DAM1ASelected chaps from automatic controlen4Volitelný oborovýdrzkS - 39ano
DVE1ASelected problems from power electronics and electrical drivesen4Volitelný oborovýdrzkS - 39ano
DTE1ASpecial Measuring Methodsen4Volitelný oborovýdrzkS - 39ano
DJA6AEnglish for post-graduatescs4Volitelný všeobecnýdrzkCj - 26ano
DMA1AStatistics, Stochastic Processes, Operations Researchen4Volitelný všeobecnýdrzkS - 39ano
1. ročník, letní semestr
ZkratkaNázevJ.Kr.Pov.Uk.Hod. rozsahSk.Ot.
DME2AMicroelectronic technologiesen4Volitelný oborovýdrzkS - 39ano
DRE2AModern digital wireless communicationen4Volitelný oborovýdrzkS - 39ano
DTK1AModern network technologiesen4Volitelný oborovýdrzkS - 39ano
DTE2ANumerical Computations with Partial Differential Equationsen4Volitelný oborovýdrzkS - 39ano
DET2ASelected diagnostic methods, reliability and qualityen4Volitelný oborovýdrzkS - 39ano
DAM2ASelected chaps from measuring techniquesen4Volitelný oborovýdrzkS - 39ano
DBM2ASelected problems of biomedical engineeringen4Volitelný oborovýdrzkS - 39ano
DEE2ASelected problems of electricity productionen4Volitelný oborovýdrzkS - 39ano
DFY2ASpectroscopic methods for non-destructive diagnostics en4Volitelný oborovýdrzkS - 39ano
DVE2ATopical Issues of Electrical Machines and Apparatusen4Volitelný oborovýdrzkS - 39ano
DMA2ADiscrete Processes in Electrical Engineeringen4Volitelný všeobecnýdrzkS - 39ano
1. ročník, celoroční semestr
ZkratkaNázevJ.Kr.Pov.Uk.Hod. rozsahSk.Ot.
DQJAAEnglish for the state doctoral examcs4Povinnýdrzkano