Detail oboru

Mikroelektronika a technologie

FEKTZkratka: PK-METAk. rok: 2012/2013

Program: Elektrotechnika a komunikační technologie

Délka studia: 4 roky

Profil

Studijní obor doktorského studia je zaměřen na přípravu špičkových vědeckých a výzkumných specialistů v nejrůznějších oblastech mikroelektroniky a elektrotechnologie, zejména pak v teorii, návrhu a testování integrovaných obvodů a systémů, v polovodičových prvcich a strukturách, v inteligentních senzorech, v optoelektronice, v elektrotechnických materiálech a výrobních procesech a ve zdrojích elektrické energie.
Cílem je poskytnout ve všech těchto dílčích zaměřeních doktorské vzdělání absolventům vysokoškolského magisterského studia, prohloubit jejich teoretické znalosti, dát jím též potřebné speciální vědomosti i praktické dovednosti a naučit je metodám vědecké práce.

Klíčové výsledky učení

Absolvent umí řešit vědecké a složité technické úlohy v oblasti mikroelektroniky a elektrotechnologie.
Díky kvalitnímu rozvinutému teoretickému vzdělání a specializaci ve vybraném oboru jsou absolventi doktorského studia vyhledáváni jako specialisté v oblasti mikroelektroniky a elektrotechnologie.
Absolventi doktorského studijního programu budou v oblasti mikroelektroniky a elektrotechnologie schopni pracovat jako vědečtí a výzkumní pracovníci v základním či aplikovaném výzkumu, jako specializovaní odborníci vývoje, konstrukce a provozu v různých výzkumných a vývojových institucích, elektrotechnických a elektronických výrobních firmách a společnostech a u výrobců či uživatelů elektrických systémů a zařízení, přičemž zde budou schopni tvůrčím způsobem využívat moderní výpočetní a měřicí techniku.

Profesní profil absolventů s příklady

Absolvent doktorského studia umí řešit vědecké a složité technické úlohy v oblasti mikroelektroniky a elektrotechnologie. Absolvent má obecné znalosti oboru na vysoké teoretické úrovni a jeho speciální znalosti jsou koncentrovány na úzkou oblast, ve které vypracoval svou disertační práci.
Vzhledem k šíři teoretického vzdělání je absolvent schopen se přizpůsobit požadavkům praxe v základním i aplikovaném výzkumu a absolventi doktorského studia jsou vyhledáváni jako specialisté ve všech oblastech mikroelektroniky a elektrotechnologie. Jsou schopni pracovat jako vědečtí a výzkumní pracovníci i jako řídicí pracovníci v základním či aplikovaném výzkumu, jako specializovaní odborníci vývoje, konstrukce a provozu v různých výzkumných a vývojových institucích, elektrotechnických výrobních firmách a u uživatelů elektrických systémů a zařízení, přičemž všude budou schopni tvůrčím způsobem využívat moderní technologii.

Garant

Vypsaná témata doktorského studijního programu

  1. Distribuce hodinového signálu ve vícedimenzionální paměťové struktuře.

    Distribuce hodinového signálu ve vícedimenzionální paměťové struktuře s ohledem na minimalni zpoždění.

    Školitel: Šteffan Pavel, doc. Ing. et Ing., Ph.D.

  2. Příprava Schotkyho katod

    Technologie přípravy Shottkyho zdrojů elektronů s důrazem na použití v elektronové litografii s tvarovaným svazkem. Studie provozu z hlediska svítivosti, stability a životnosti.

    Školitel: Kolařík Vladimír, doc. Ing., Ph.D.

  3. Spolehlivost pájeného propojení pro 3D systémy

    Stanovení spolehlivosti pájeného spoje při termomechanickém namáhání. Měření a simulace spolehlivosti SMD součástek připájených na desku. Simulace v programu ANSYS. Předpokládá se měření na pájce Sn100, případně jiných. Navázání na doktorskou práci Disertabilní jádro: stanovení empirických konstant pro simulaci, naměřené hodnoty spolehlivosti pro danou sestavu. Částečně se jedná o strojařskou problematiku (namáhání a tečení spoje). Práce budou probíhat většinou v laboratoři mikroelektroniky.

    Školitel: Šandera Josef, doc. Ing., Ph.D.

  4. Vakuové pájení a jeho spolehlivost

    Výzkum v oblasti pájení ve vakuu. Bude se jednat o návrh konstrukce zařízení, které umožní pájet mikroelektronické sestavy za daných definovaných podmínek vakua a přídavných plynů, stanoveni struktury spoje. Měření termomechanické spolehlivost takto pájených spojů pro SMD součástky. Disertabilní jádro: stanovení a rozbor struktury pájeného spoje, pevnost spoje. Práce budou probíhat na pracovištích mikroelektroniky.

    Školitel: Šandera Josef, doc. Ing., Ph.D.

  5. Výzkum a vývoj nového integrovaného impedančního spektroskopu pro měření chemických senzorů

    Hlavním cílem práce je cílený základní a aplikovaný výzkum a vývoj zaměřený na nalezení vhodné metody měření chemických senzorů včetně impedanční spektroskopie využívající impedanční závislosti a implementace konečného řešení impedančního spektroskopu na čip. Pro nalezenou metodu využívající impedanční chování elektrod chemických senzorů bude potřeba navrhnout kompletní obvodové řešení digitalizace analogových signálů s možnosti využití modulace sigma-delta typu pásmové propusti případně jiného obvodového principu.

    Školitel: Vrba Radimír, prof. Ing., CSc.

  6. Výzkum vysoce citlivých a stabilních digitálních snímačů velmi nízkých tlaků a tlaku vakua

    Hlavním cílem práce je základní a aplikovaný výzkum zaměřený na nalezení nové vhodné metody a principu digitálního snímání velmi nízkých tlaků a tlaku vakua s dodržením vysoké citlivosti a stability měření. Pro měření vysokého vakua je potřebné vyvinout nebo nalézt vhodné materiálové kombinace.

    Školitel: Vrba Radimír, prof. Ing., CSc.


Struktura předmětů s uvedením ECTS kreditů (studijní plán)

1. ročník, zimní semestr
ZkratkaNázevJ.Kr.Pov.Prof.Uk.Hod. rozsahSk.Ot.
DTK2Aplikovaná kryptografiecs4Volitelný oborový-drzkS - 39ano
DET1Elektrotechnické materiály, materiálové soustavy a výrobní procesycs4Volitelný oborový-drzkS - 39ano
DEE1Matematické modelování v elektroenergeticecs4Volitelný oborový-drzkS - 39ano
DME1Mikroelektronické systémycs4Volitelný oborový-drzkS - 39ano
DRE1Návrh moderních elektronických obvodůcs4Volitelný oborový-drzkS - 39ano
DFY1Rozhraní a nanostrukturycs4Volitelný oborový-drzkS - 39ano
DTE1Speciální měřicí metodycs4Volitelný oborový-drzkS - 39ano
DAM1Vybrané kapitoly řídicí technikycs4Volitelný oborový-drzkS - 39ano
DVE1Vybrané statě z výkonové elektroniky a elektrických pohonůcs4Volitelný oborový-drzkS - 39ano
DBM1Vyšší metody zpracování a analýzy signálů a obrazůcs4Volitelný oborový-drzkS - 39ano
DJA6Angličtina pro doktorandycs4Volitelný všeobecný-drzkCj - 26ano
DEIZElektronické informační zdroje pro vědeckou práci cs2Volitelný všeobecný-drzkS - 8ano
DMA1Statistika. stochastické procesy, operační výzkumcs4Volitelný všeobecný-drzkS - 39ano
1. ročník, letní semestr
ZkratkaNázevJ.Kr.Pov.Prof.Uk.Hod. rozsahSk.Ot.
DME2Mikroelektronické technologiecs4Volitelný oborový-drzkS - 39ano
DRE2Moderní digitální bezdrátová komunikacecs4Volitelný oborový-drzkS - 39ano
DTK1Moderní síťové technologiecs4Volitelný oborový-drzkS - 39ano
DTE2Numerické úlohy s parciálními diferenciálními rovnicemics4Volitelný oborový-drzkS - 39ano
DFY2Spektroskopické metody pro nedestruktivní diagnostikucs4Volitelný oborový-drzkS - 39ano
DET2Vybrané diagnostické metody, spolehlivost, jakostcs4Volitelný oborový-drzkS - 39ano
DAM2Vybrané kapitoly měřicí technikycs4Volitelný oborový-drzkS - 39ano
DBM2Vybrané problémy biomedicínského inženýrstvícs4Volitelný oborový-drzkS - 39ano
DEE2Vybrané problémy z výroby elektrické energiecs4Volitelný oborový-drzkS - 39ano
DVE2Vybrané statě z elektrických strojů a přístrojůcs4Volitelný oborový-drzkS - 39ano
DJA6Angličtina pro doktorandycs4Volitelný všeobecný-drzkCj - 26ano
DMA2Diskrétní procesy v elektrotechnicecs4Volitelný všeobecný-drzkS - 39ano
DEIZElektronické informační zdroje pro vědeckou práci cs2Volitelný všeobecný-drzkS - 8ano
1. ročník, celoroční semestr
ZkratkaNázevJ.Kr.Pov.Prof.Uk.Hod. rozsahSk.Ot.
DQJAZkouška z angličtiny před státní doktorskou zkouškucs4Povinný-drzkano