Detail předmětu

Elektronické součástky - praktikum

FEKT-BPC-ESOPAk. rok: 2024/2025

Přechod PN. Polovodičová dioda. Bipolární tranzistor. Unipolární tranzistory. Spínací prvky, tyristor.

Jazyk výuky

čeština

Počet kreditů

2

Vstupní znalosti

Jsou požadovány znalosti na úrovni středoškolského studia.
Práce v laboratoři je podmíněna platnou kvalifikací „osoby poučené“, kterou musí studenti získat před zahájením výuky. Informace k této kvalifikaci jsou uvedeny ve Směrnici děkana Seznámení studentů s bezpečnostními předpisy.

Pravidla hodnocení a ukončení předmětu

Maximální počet bodů získaný za aktivní účast v laboratorní výuce : 100.
Minimum bodů pro udělení zápočtu : 70.

Laboratorní cvičení, účast ve výuce dle rozvrhu, slpnění bodového limitu.

Učební cíle

Seznámit posluchače s vlastnostmi elektronických součástek a jejich použitím.
Na základě ověření znalosti studenta v laboratorní výuce je student po absolvování předmětu schopen :

Pochopit a změřit vliv elektrického pole v depletiční oblasti polovodičového přechodu na chování přechodu v různých režimech.
Definovat a změřit bariérovou a difúzní kapacitu přechodu PN.
Vysvětlit a změřit činnost přechodu PN v zapojení usměrňovače, stabilizátoru napětí, kapacitní diody, fotodiody, luminiscenční diody a řízeného diferenciálního odporu.
Vysvětlit činnost struktury bipolárního tranzistoru a změřit její chování v typickém obvodovém zapojení.
Navrhnout a změřit zesilovač ve třídě A a spínač s bipolárním tranzistorem.
Popsat struktury unipolárních tranzistorů JFET a IGFET a změřit jejich chování v typickém obvodovém zapojení.
Navrhnout a změřit zesilovač ve třídě A a spínač s unipolárními tranzistory JFET a IGFET.
Vysvětlit činnost tyristoru a změřit jeho chování v typickém obvodovém zapojení.
Definovat princip fázového řízení spínacích prvků a ověřit jeho funkci na jednoduchém řídícím obvodu.

Základní literatura

Singh J. : Semiconductor Devices ,McGraw-Hill
Boylestad R., Nashelsky L. :Electronic devices and Circuit Theory ,Prentice Hall
MUSIL V., BRZOBOHATÝ J., BOUŠEK J, PRCHALOVÁ I.: " Elektronické součástky", PC dir, BRNO, 1999
Boušek J., Kosina P., Mojrova B.: Elektronické součástky, FEKT VUT V BRNĚ, elektronické skriptum
Boušek J., Kosina P., Mojrova B.: Elektronické součástky sbírka příkladů, FEKT VUT V BRNĚ, elektronické skriptum
Boušek J., Kosina P.: Elektronické součástky BESO, laboratorní cvičení, FEKT VUT V BRNĚ, elektronické skriptum

Zařazení předmětu ve studijních plánech

  • Program BPC-MET bakalářský, 1. ročník, letní semestr, povinný

Typ (způsob) výuky

 

Laboratorní cvičení

26 hod., nepovinná

Vyučující / Lektor

Osnova

1) Zásady pro vzájemné propojování elektronických obvodů. Metody měření v elektronických obvodech. Derivační článek a integrační článek, určení časové konstanty. 2) Diodový usměrňovač.Porovnání dynamických vlastností diod s různou technologií. AV charakteristiky polovodičových diod. 3) Diferenciální odpor polovodičového přechodu. Řízený napěťový dělič. Určení koeficientu m. Diodový spínač. 4) Přechod PN v závěrném směru. Diodový stabilizátor napětí. Fotodioda. Bipolární transistor (BT). 5) Výstupní charakteristika BT v zapojení SE. BT jako napěťový zesilovač v zapojení SE. 6) Zapojení pro nastavení pracovního bodu BT. Vstupní a výstupní odpor BT v zapojeních SE,SC a SB 7) BT jako spínač. Optron. 8) Tranzistor J-FET. Převodní charakteristika. Výstupní charakteristika. J-FET jako napěťový zesilovač. 9) Tranzistor VDMOS. Převodní charakteristika. Výstupní charakteristika. VDMOS jako napěťový zesilovač. 10) Spínač s tranzistorem VDMOS. Zapojení s induktuvní zátěží. 11)Tyristor. Vstupní charakteristika. Spínací charakteristika. 12) Doměřování a náhradní cvičení. 13 Zápočet