Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikačního výsledku
BENEŠOVÁ, M., TOMÁNEK, P., DOBIS, P., BRÜSTLOVÁ, J.
Originální název
Time-resolved contrast in near-field scanning optical microscopy of semiconductors
Anglický název
Druh
Stať ve sborníku v databázi WoS či Scopus
Originální abstrakt
The lifetime local measurement of excess carriers in silicon samples are described. The work was performed with the implementation of scanning near-field optical microscopy (SNOM). We present here an alternative development of SNOM: its implementation as an imaging tool to study the dynamics of excess carriers in semiconductor devices. We concentrate on obtaining images for which the contrast mechanism is a time-dependent property of the sample, and attempt to relate them to important sample characteristics.
Anglický abstrakt
Klíčová slova
near-field optical microscopy, semiconductor, local measurement, contrast, evaluation
Klíčová slova v angličtině
Autoři
Vydáno
15.12.2003
Nakladatel
Vysoké učení technické v Brně, Fakulta strojního inženýrství
Místo
Brno
ISBN
80-214-2527-X
Kniha
Proceedings of International conference Nano´03
Strany od
201
Strany počet
5
BibTex
@inproceedings{BUT8963, author="Markéta {Benešová} and Pavel {Tománek} and Pavel {Dobis} and Jitka {Brüstlová}", title="Time-resolved contrast in near-field scanning optical microscopy of semiconductors", booktitle="Proceedings of International conference Nano´03", year="2003", pages="5", publisher="Vysoké učení technické v Brně, Fakulta strojního inženýrství", address="Brno", isbn="80-214-2527-X" }