Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikačního výsledku
POKORNÝ, M.; RAIDA, Z.
Originální název
Amplification Enhancement of Gunn Effect Based Active Transmission Lines
Anglický název
Druh
Stať ve sborníku v databázi WoS či Scopus
Originální abstrakt
In this paper, we concentrate on the design and analysis of the active semiconductor traveling wave devices based on the Gunn effect in bulk GaAs semiconductor. The complex model of active device based on the macroscopic approximations of electron dynamics is analyzed by finite element method using COMSOL Multiphysics and the design issues to achieve an efficient amplification and device stability are formulated and discussed. Upon simulation results of the convectional active coplanar waveguide design based on the experimental work in [1],we propose more efficient solution.
Anglický abstrakt
Klíčová slova
Gunn effect, Active transmission line, GaAs, COMSOL
Klíčová slova v angličtině
Autoři
Vydáno
23.05.2011
Nakladatel
Aalto Univerzity of Finland
Místo
Finland
Kniha
Millimetre Wave Days Proceedings
Strany od
1
Strany do
4
Strany počet
BibTex
@inproceedings{BUT73083, author="Michal {Pokorný} and Zbyněk {Raida}", title="Amplification Enhancement of Gunn Effect Based Active Transmission Lines", booktitle="Millimetre Wave Days Proceedings", year="2011", pages="1--4", publisher="Aalto Univerzity of Finland", address="Finland" }