Detail publikačního výsledku

Capacitance-voltage analysis for silicon solar cells

CHOBOLA, Z.; IBRAHIM, A.

Originální název

Capacitance-voltage analysis for silicon solar cells

Anglický název

Capacitance-voltage analysis for silicon solar cells

Druh

Stať ve sborníku v databázi WoS či Scopus

Originální abstrakt

Studie of capacitance associated the depletion region of a Schottky barrier or an abrupt junction provide extensive information on the concentrations and charakcteristics of electrically active centres in epitaxial layers and the near surface region of bulk semiconductors.

Anglický abstrakt

Studie of capacitance associated the depletion region of a Schottky barrier or an abrupt junction provide extensive information on the concentrations and charakcteristics of electrically active centres in epitaxial layers and the near surface region of bulk semiconductors.

Klíčová slova v angličtině

Silicon solar cell, Capacitance, Frequency, Doping concentration

Autoři

CHOBOLA, Z.; IBRAHIM, A.

Vydáno

15.11.2001

Nakladatel

Vysoké učení technické v Brně

Místo

Brno

ISBN

80-214-1992-X

Kniha

Nové trendy ve fyzice

Strany od

84

Strany počet

6

BibTex

@inproceedings{BUT7041,
  author="Zdeněk {Chobola} and Ali {Ibrahim}",
  title="Capacitance-voltage analysis for silicon solar cells",
  booktitle="Nové trendy ve fyzice",
  year="2001",
  pages="6",
  publisher="Vysoké učení technické v Brně",
  address="Brno",
  isbn="80-214-1992-X"
}