Detail publikačního výsledku

Empirical model for the low-frequency noise of hot-carrier degraded submicron LDD MOSFET´s

PAZDERA, L.

Originální název

Empirical model for the low-frequency noise of hot-carrier degraded submicron LDD MOSFET´s

Anglický název

Empirical model for the low-frequency noise of hot-carrier degraded submicron LDD MOSFET´s

Druh

Článek recenzovaný mimo WoS a Scopus

Originální abstrakt

Empirical model for the low-frequency noise of hot-carrier degraded submicron LDD MOSFET´s

Anglický abstrakt

Empirical model for the low-frequency noise of hot-carrier degraded submicron LDD MOSFET´s

Klíčová slova v angličtině

model, low-frequency noise , LDD MOSFET´s

Autoři

PAZDERA, L.

Vydáno

01.01.1997

ISSN

0741-3106

Periodikum

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

Svazek

1997

Číslo

5

Stát

Spojené státy americké

Strany od

480

Strany počet

3

BibTex

@article{BUT41385,
  author="Luboš {Pazdera}",
  title="Empirical model for the low-frequency noise of hot-carrier degraded submicron LDD MOSFET´s",
  journal="IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS",
  year="1997",
  volume="1997",
  number="5",
  pages="3",
  issn="0741-3106"
}