Detail publikačního výsledku

SiGe Technology

BARTOŇ, Z., MUSIL, V.

Originální název

SiGe Technology

Anglický název

SiGe Technology

Druh

Stať ve sborníku v databázi WoS či Scopus

Originální abstrakt

This paper reviews the recent progress in both SiGe heterojunction bipolar (HBT) technology and SiGe field effect transistor (FET) technology.

Anglický abstrakt

This paper reviews the recent progress in both SiGe heterojunction bipolar (HBT) technology and SiGe field effect transistor (FET) technology.

Klíčová slova v angličtině

microelectronics, technology, SiGe structures

Autoři

BARTOŇ, Z., MUSIL, V.

Vydáno

02.09.2001

Nakladatel

Ing. Zdeněk Novotný, CSc.

Místo

Brno

ISBN

80-214-2027-8

Kniha

Socrates Workshop 2001. Intensive Training Programme in Electronic System Design. Proceedings

Strany od

302

Strany počet

15

BibTex

@inproceedings{BUT4065,
  author="Zdeněk {Bartoň} and Vladislav {Musil}",
  title="SiGe Technology",
  booktitle="Socrates Workshop 2001. Intensive Training Programme in Electronic System Design. Proceedings",
  year="2001",
  pages="15",
  publisher="Ing. Zdeněk Novotný, CSc.",
  address="Brno",
  isbn="80-214-2027-8"
}