Detail publikačního výsledku

Niobium Oxide and Tantalum Capacitors: M-I-S Model Parameters Comparison

ŠIKULA, J.; HLÁVKA, J.; SEDLÁKOVÁ, V.; HÖSCHEL, P.; GRILL, R.; SITA, Z.; ZEDNÍČEK, T.; TACANO, M.

Originální název

Niobium Oxide and Tantalum Capacitors: M-I-S Model Parameters Comparison

Anglický název

Niobium Oxide and Tantalum Capacitors: M-I-S Model Parameters Comparison

Druh

Stať ve sborníku v databázi WoS či Scopus

Originální abstrakt

An analysis of charge carrier transport and charge storage in NbO and Ta capacitors was performed. An aim of this paer is to characterise the active region quality of NbO and Ta capacitors.

Anglický abstrakt

An analysis of charge carrier transport and charge storage in NbO and Ta capacitors was performed. An aim of this paer is to characterise the active region quality of NbO and Ta capacitors.

Klíčová slova

Capacitor, NbO, Ta, MIS

Klíčová slova v angličtině

Capacitor, NbO, Ta, MIS

Autoři

ŠIKULA, J.; HLÁVKA, J.; SEDLÁKOVÁ, V.; HÖSCHEL, P.; GRILL, R.; SITA, Z.; ZEDNÍČEK, T.; TACANO, M.

Vydáno

01.01.2005

Kniha

25th Capacitor and Resistor Technology Symposium

ISSN

0887-7491

Periodikum

Capacitor and Resistor Technology

Svazek

2005

Číslo

3

Stát

Spojené státy americké

Strany od

244

Strany počet

5

BibTex

@inproceedings{BUT31370,
  author="Josef {Šikula} and Jan {Hlávka} and Vlasta {Sedláková} and Pavel {Höschel} and Roman {Grill} and Zdeněk {Sita} and Tomáš {Zedníček} and Munecazu {Tacano}",
  title="Niobium Oxide and Tantalum Capacitors: M-I-S Model Parameters Comparison",
  booktitle="25th Capacitor and Resistor Technology Symposium",
  year="2005",
  journal="Capacitor and Resistor Technology",
  volume="2005",
  number="3",
  pages="5",
  issn="0887-7491"
}