Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikačního výsledku
ŠIKULA, J.; HLÁVKA, J.; SEDLÁKOVÁ, V.; HÖSCHEL, P.; GRILL, R.; SITA, Z.; ZEDNÍČEK, T.; TACANO, M.
Originální název
Niobium Oxide and Tantalum Capacitors: M-I-S Model Parameters Comparison
Anglický název
Druh
Stať ve sborníku v databázi WoS či Scopus
Originální abstrakt
An analysis of charge carrier transport and charge storage in NbO and Ta capacitors was performed. An aim of this paer is to characterise the active region quality of NbO and Ta capacitors.
Anglický abstrakt
Klíčová slova
Capacitor, NbO, Ta, MIS
Klíčová slova v angličtině
Autoři
Vydáno
01.01.2005
Kniha
25th Capacitor and Resistor Technology Symposium
ISSN
0887-7491
Periodikum
Capacitor and Resistor Technology
Svazek
2005
Číslo
3
Stát
Spojené státy americké
Strany od
244
Strany počet
5
BibTex
@inproceedings{BUT31370, author="Josef {Šikula} and Jan {Hlávka} and Vlasta {Sedláková} and Pavel {Höschel} and Roman {Grill} and Zdeněk {Sita} and Tomáš {Zedníček} and Munecazu {Tacano}", title="Niobium Oxide and Tantalum Capacitors: M-I-S Model Parameters Comparison", booktitle="25th Capacitor and Resistor Technology Symposium", year="2005", journal="Capacitor and Resistor Technology", volume="2005", number="3", pages="5", issn="0887-7491" }