Detail publikace

Simulace kvantizačních jevů v kanále NMOS tranzistoru

RECMAN, M.

Originální název

Simulace kvantizačních jevů v kanále NMOS tranzistoru

Anglický název

Simulation of quantization effects in the channel of NMOS transistor

Typ

článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus

Jazyk

čeština

Originální abstrakt

Zahrnutí kvantizačních jevů do simulace struktury NMOSFET způsobuje přírůstek prahového napětí oproti klasické simulaci bez zahrnutí těchto jevů. Příspěvek popisuje vliv kvantizačních jevů v kanálu NMOSFET na elektrické vlastnosti struktury. Klasická driftově-difúzní simulace nezahrnující korekci na kvantové jevy, simulace s využitím kvantově korekčních modelů jako jsou van Dortův model a model hustotního gradientu (density gradient model) a simulace zahrnující přímé řešení Schroedingerovy rovnice jsou provedeny a jsou porovnány vybrané fyzikální a elektrické charakteristiky. Simulace jsou provedeny v rámci GENESISe. Jsou využity programy jako strukturní editor MDRAW, strukturní simulátor DESSIS a programy pro vizualizaci a extrakci parametrů TECPLOT a INSPECT.

Anglický abstrakt

english description

Klíčová slova

Strukturní simulace, Elektrická simulace, Identifikace parametrů, Modelování polovodičových struktur, Extrakce parametrů, 2D, Prahové napětí, Jevy krátkého kanálu, MOSFET, Kvantizační jevy, Van Dortův model, Model hustotního gradientu, Schroedingerova rovnice, Schroedinger-Poisson model

Klíčová slova v angličtině

Device simulation,

Autoři

RECMAN, M.

Rok RIV

2007

Vydáno

1. 1. 2007

Nakladatel

Nakl. Novotný

Místo

Brno

ISBN

978-80-214-3534-6

Kniha

MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích.. Seminář o výsledcích výzkumného záměru MSM 0021630503 v roce 2007. Sborník příspěvků. Nakl. Novotný, Brno 2007

Strany od

61

Strany do

65

Strany počet

5

BibTex

@inproceedings{BUT25399,
  author="Milan {Recman}",
  title="Simulace kvantizačních jevů v kanále NMOS tranzistoru",
  booktitle="MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích.. Seminář o výsledcích výzkumného záměru MSM 0021630503 v roce 2007. Sborník příspěvků. Nakl. Novotný, Brno 2007",
  year="2007",
  pages="5",
  publisher="Nakl. Novotný",
  address="Brno",
  isbn="978-80-214-3534-6"
}