Detail publikačního výsledku

Fyzikální popis luminiscenčních GaAsP diod

KOKTAVÝ, P.; KOKTAVÝ, B.

Originální název

Fyzikální popis luminiscenčních GaAsP diod

Anglický název

Physical Description of Luminescent GaAsP Diodes

Druh

Stať ve sborníku v databázi WoS či Scopus

Originální abstrakt

V práci je uveden základní fyzikální popis a technologie přípravy luminiscenčních GaAsP diod s ohledem na využití při studiu lokálních nestabilit v mikroplazmatických oblastech PN přechodu, které vznikají v důsledku nehomogenit PN přechodů.

Anglický abstrakt

The paper deals basic main description of luminescent GaAsP diodes.

Klíčová slova v angličtině

LED diode, PN junction, Microplasma, GaAsP

Autoři

KOKTAVÝ, P.; KOKTAVÝ, B.

Vydáno

29.11.2006

Nakladatel

Brno University of Technology

Místo

Brno

ISBN

80-7204-487-7

Kniha

Workshop NDT 2006, Non-destructive Testing in Engineering Practise

Strany od

55

Strany do

58

Strany počet

4

BibTex

@inproceedings{BUT22101,
  author="Pavel {Koktavý} and Bohumil {Koktavý}",
  title="Fyzikální popis luminiscenčních GaAsP diod",
  booktitle="Workshop NDT 2006, Non-destructive Testing in Engineering Practise",
  year="2006",
  pages="55--58",
  publisher="Brno University of Technology",
  address="Brno",
  isbn="80-7204-487-7"
}