Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikačního výsledku
Šádek, P., Háze, J.
Originální název
Power density improvements for electronic fuse (eFuse)
Anglický název
Druh
Stať ve sborníku v databázi WoS či Scopus
Originální abstrakt
Goal of the paper is to evaluate the power density increase options for single channel integrated eFuse device with focus on pass device, comparing different MOSFET solutions using Si and Wide Bandgap materials also adding system voltage rail level consideration to maximize the power delivered to the load while keeping the pass semiconductor device area constant. The resulting power enhanced final solution size is the same. TRIZ inventive methodology was applied.
Anglický abstrakt
Klíčová slova
e-fuse, semiconductor, wide bandgap
Klíčová slova v angličtině
Autoři
Rok RIV
2026
Vydáno
01.01.2024
Nakladatel
IEEE
Místo
NEW YORK
ISBN
979-8-3315-4061-6
Kniha
Proceedings of International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems 2024
Strany od
5
Strany do
8
Strany počet
4
BibTex
@inproceedings{BUT201264, author="Pavel {Šádek} and Jiří {Háze}", title="Power density improvements for electronic fuse (eFuse)", booktitle="Proceedings of International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems 2024", year="2024", pages="5--8", publisher="IEEE", address="NEW YORK", doi="10.1109/ASDAM63148.2024.10844657", isbn="979-8-3315-4061-6" }