Detail publikačního výsledku

TOF-LEIS analysis of ultra thin films: Ga- and Ga-N layer growth on Si (111)

KOLÍBAL, M., PRŮŠA, S., BÁBOR, P., BAUER, P., ŠIKOLA, T.

Originální název

TOF-LEIS analysis of ultra thin films: Ga- and Ga-N layer growth on Si (111)

Anglický název

TOF-LEIS analysis of ultra thin films: Ga- and Ga-N layer growth on Si (111)

Druh

Stať ve sborníku v databázi WoS či Scopus

Originální abstrakt

In-situ monitoring of thin Ga and GaN layers growth and TOF-LEIS structural analysis.

Anglický abstrakt

In-situ monitoring of thin Ga and GaN layers growth and TOF-LEIS structural analysis.

Klíčová slova v angličtině

TOF-LEIS, Ga, GaN,

Autoři

KOLÍBAL, M., PRŮŠA, S., BÁBOR, P., BAUER, P., ŠIKOLA, T.

Vydáno

08.09.2003

Nakladatel

FÚ AV ČR

Místo

Praha

Kniha

ECOSS 22 CD

Strany počet

2

BibTex

@inproceedings{BUT11087,
  author="Miroslav {Kolíbal} and Stanislav {Průša} and Petr {Bábor} and Petr {Bauer} and Tomáš {Šikola}",
  title="TOF-LEIS analysis of ultra thin films: Ga- and Ga-N layer growth on Si (111)",
  booktitle="ECOSS 22 CD",
  year="2003",
  pages="2",
  publisher="FÚ AV ČR",
  address="Praha"
}