Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikačního výsledku
KHATEB, F.; KHATIB, N.; PROMMEE, P.; JAIKLA, W.; FUJCIK, L.
Originální název
Ultra-low voltage tunable transconductor based on bulk-driven quasi-floating-gate technique
Anglický název
Druh
Článek WoS
Originální abstrakt
This paper presents ultra-low voltage transconductor using a new bulk-driven quasi-floating-gate technique (BD-QFG). This technique leads to significant increase in the transconductance and the bandwidth values of the MOS transistor (MOST) under ultra-low voltage condition. The proposed CMOS structure of the transconductor is capable to work with ultra-low supply voltage of +-300 mV and low power consumption of 18 uW. The transconductance value of the transconductor is tunable by external resistor with wide linear range. To prove the validation of the new described technique a second order Gm-C multifunction filter is presented as one of possible application. The simulation results using 0.18 um CMOS N-Well process from TSMC show the attractive features of the proposed circuit.
Anglický abstrakt
Klíčová slova
Floating-gate MOST; quasi-floating-gate MOST, bulk-driven MOST; transconductor.
Klíčová slova v angličtině
Autoři
Rok RIV
2014
Vydáno
02.09.2013
Místo
Singapore
ISSN
0218-1266
Periodikum
JOURNAL OF CIRCUITS SYSTEMS AND COMPUTERS
Svazek
2013 (22)
Číslo
8, IF: 0.238
Stát
Singapurská republika
Strany od
1350073-1
Strany do
1350073-13
Strany počet
13
URL
http://dx.doi.org/10.1142/S0218126613500734