The project focuses on the joint research and development of a highly reliable batch ALD device for deposition of oxide, nitride and metallic conformal layers at temperatures above 650 °C. The cooperation of the main partners SVCS (vertical ALD reactor) and ISAC (load-lock system) will be key, while the characterisation of the layers and the optimisation of the deposition conditions will be the responsibility of the other partners (VUT-CEITEC, KIMS, PNU).

Popis česky
Projekt je zaměřen na společný výzkum a vývoj vysoce spolehlivého dávkového ALD zařízení pro depozice oxidových, nitridových a kovových konformních vrstev při teplotách vyšších než 650 °C. Klíčová bude spolupráce hlavních partnerů SVCS (vertikální ALD reaktor) a ISAC (load-lock systém), přičemž charakterizace vrstev a optimalizace depozičních podmínek bude náplní dalších partnerů (VUT-CEITEC, KIMS, PNU).

Klíčová slova
Atomic Layer Deposition; ALD; batch process; semiconductor

Klíčová slova česky
Nanášení atomárních vrstev; ALD; dávkový proces; polovodiče

TQ26000039

angličtina

Čelko Ladislav, doc. Ing., Ph.D. - hlavní řešitel
Bednaříková Vendula, Ing. - spoluřešitel
Remešová Michaela, Ing., Ph.D. - spoluřešitel

Pokročilé povlaky
- odpovědné pracoviště (27.6.2025 - nezadáno)
Pokročilé povlaky
- příjemce (27.6.2025 - nezadáno)

Odpovědnost: Čelko Ladislav, doc. Ing., Ph.D.