Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail aplikovaného výsledku
KHATEB, F.; VLASSIS, S.; KULEJ, T.; SOULIOTIS, G.
Originální název
Bulk-driven napěťový atenuátor
Anglický název
A bulk-driven voltage attenuator
Druh
Patent
Originální abstrakt
Bulk-driven napěťový atenuátor obsahuje dva PMOS tranzistory kaskádově zapojené mezi napájecím napětím a zemí. Elektroda drain prvního tranzistoru je propojena s elektrodou source druhého tranzistoru, napájecí napětí je přivedeno na elektrodu source prvního tranzistoru. První vstupní napětí je vyvedeno na elektrodu bulk druhého tranzistoru, druhé vstupní napětí je vyvedeno na elektrodu bulk prvního tranzistoru. Výstupní napětí je vyvedeno z elektrody source druhého tranzistoru. Hradlo gate a elektroda drain druhého tranzistoru jsou uzemněné. Elektroda drain prvního tranzistoru je propojena s elektrodou source druhého tranzistoru. Hradlo gate prvního tranzistoru je vyvedeno na řídicí napětí, které zajišťuje, že úroveň stejnosměrného napětí na výstupu atenuátoru je na polovině napájecího napětí. Tím se zvyšuje rozsah vstupního napětí následujícího obvodu, který je připojen k výstupu atenuátoru, tj. na svorku výstupního napětí.
Anglický abstrakt
A bulk-driven voltage attenuator contains two PMOS transistors connected cascadedly between the supply voltage and the ground. The drain electrode of the first transistor is connected to the source electrode of the second transistor, the supply voltage is applied to the source electrode of the first transistor. The first input voltage is led out to the bulk electrode of the second transistor, the second input voltage is lead out to the bulk electrode of the first transistor. The output voltage is led from the source electrode of the second transistor. The gate and the drain electrode of the second transistor are grounded. The drain electrode of the first transistor is connected to the source electrode of the second transistor. The gate of the first transistor is lead out to the control voltage that ensures that the DC voltage level at the attenuator output is at half value of the supply voltage. This increases the input voltage range of the following circuit, which is connected to the attenuator output, i.e. to the output voltage clamp.
Klíčová slova
Bulk-driven MOS.
Klíčová slova v angličtině
Číslo patentu
307308
Datum přihlášky
29.03.2017
Datum zápisu
11.04.2018
Datum skončení platnosti
29.03.2037
Vlastník
VUT v Brně.
Licenční poplatek
K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
URL
http://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307308.pdf