Přístupnostní navigace
E-application
Search Search Close
Applied result detail
KHATEB, F.; VLASSIS, S.; KULEJ, T.; SOULIOTIS, G.
Original Title
Bulk-driven napěťový atenuátor
English Title
A bulk-driven voltage attenuator
Type
Patent
Original Abstract
Bulk-driven napěťový atenuátor obsahuje dva PMOS tranzistory kaskádově zapojené mezi napájecím napětím a zemí. Elektroda drain prvního tranzistoru je propojena s elektrodou source druhého tranzistoru, napájecí napětí je přivedeno na elektrodu source prvního tranzistoru. První vstupní napětí je vyvedeno na elektrodu bulk druhého tranzistoru, druhé vstupní napětí je vyvedeno na elektrodu bulk prvního tranzistoru. Výstupní napětí je vyvedeno z elektrody source druhého tranzistoru. Hradlo gate a elektroda drain druhého tranzistoru jsou uzemněné. Elektroda drain prvního tranzistoru je propojena s elektrodou source druhého tranzistoru. Hradlo gate prvního tranzistoru je vyvedeno na řídicí napětí, které zajišťuje, že úroveň stejnosměrného napětí na výstupu atenuátoru je na polovině napájecího napětí. Tím se zvyšuje rozsah vstupního napětí následujícího obvodu, který je připojen k výstupu atenuátoru, tj. na svorku výstupního napětí.
English abstract
A bulk-driven voltage attenuator contains two PMOS transistors connected cascadedly between the supply voltage and the ground. The drain electrode of the first transistor is connected to the source electrode of the second transistor, the supply voltage is applied to the source electrode of the first transistor. The first input voltage is led out to the bulk electrode of the second transistor, the second input voltage is lead out to the bulk electrode of the first transistor. The output voltage is led from the source electrode of the second transistor. The gate and the drain electrode of the second transistor are grounded. The drain electrode of the first transistor is connected to the source electrode of the second transistor. The gate of the first transistor is lead out to the control voltage that ensures that the DC voltage level at the attenuator output is at half value of the supply voltage. This increases the input voltage range of the following circuit, which is connected to the attenuator output, i.e. to the output voltage clamp.
Keywords
Bulk-driven MOS.
Key words in English
Patent number
307308
Date of application
29.03.2017
Date of registration
11.04.2018
Date of expiry
29.03.2037
Owner
VUT v Brně.
Licence fee
In order to use the result by another entity, it is always necessary to acquire a license
URL
http://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307308.pdf