Detail aplikovaného výsledku

Laditelný podprahový bulk-driven transkonduktor pro aplikace s velmi nízkým napájecím napětím

KHATEB, F.; KULEJ, T.; VLASSIS, S.

Originální název

Laditelný podprahový bulk-driven transkonduktor pro aplikace s velmi nízkým napájecím napětím

Anglický název

Tunable subliminal bulk-driven transconductor for applications with very low supply voltage

Druh

Patent

Originální abstrakt

Laditelný podprahový bulk-driven transkonduktoru pracuje s velmi nízkým napájecím napětím v rozmezí 0,5 V až 0,25 V, s velmi nízkou spotřebou, s rozsahem vstupního napětí rail-to-rail. Hodnota transkonduktance bulk-driven transkonduktoru je nastavitelná a laditelná pomocí navrženého řídicího obvodu.

Anglický abstrakt

The invented tunable subliminal bulk-driven transconductor operates with very low supply voltage in the range of 0.5 V to 0,25 V, with a very low consumption, with rail-to-rail range of the input voltage. The transconductance value of the bulk-driven transconductor is adjustable and tunable through the mediation of a proposed control circuit.

Klíčová slova

Bulk-driven MOS

Klíčová slova v angličtině

Bulk-driven MOS

Číslo patentu

306242

Datum přihlášky

24.11.2015

Datum zápisu

07.09.2016

Datum skončení platnosti

07.09.2018

Vlastník

Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ

Licenční poplatek

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

URL

https://isdv.upv.cz/webapp/webapp.pts.det?xprim=10161111&lan=cs&s_majs=&s_puvo=Khateb&s_naze=&s_anot=

Dokumenty

306242