Studentka se v rámci bakalářské práce aktivně podílela na realizaci struktur vhodných pro přípravu polem řízených tranzistorů s vodivou polykrystalickou grafenovou vrstvou. V rámci bakalářské práce byly připraveny grafenové vodivé kanálky pomocí elektronové litografie. Studentka samostatně zvládla proces elektronové litografie. Takto připravené struktury na SiO2 byly měřeny pomocí Ramanovy spektroskopie. Výsledky byly prezentovány ve formě posteru na konferenci International Summer School on Physics at Nanoscale 9th (2014). Studentka se podílela na úspěšném řešení projetu IMPI. Práce studentky byla snaživá a intenzivní. Lze tedy konstatovat, že studentka splnila všechny úkoly zadání, i když nedošlo k realizaci samotného měření struktur. Což bylo způsobenou převážně problém při hledání optimálních podmínek pro elektronovou litografii. Studentka projevovala nadměrný zájem o danou problematiku a při práci si počínala důsledně.

Práce Markéty Kurfürstové je napsána jasnou a srozumitelnou formou. Teoretická část postupně uvozuje do problematiky fyzikálních principů grafenu a polovodičů a je zakončena z mého pohledu velmi zdařilou rešerší FE tranzistorů. V experimentální části jsou přehledně komentovány jednotlivé kroky výrobního postupu. Hledání optimálních parametrů a jejich zdůvodnění je logické, podložené fakty a zdokumentované názornými ukázkami natolik dobře, že práce může významně pomoci všem, kteří by se podobnou problematikou zabývali. V závěru práce bych uvítal jednoznačnější komentář ke splnění/nesplnění dílčích cílů zadání a případné zdůvodnění časové prodlevy. Celkově práci považuji za výbornou. Otázky k obhajobě:

1. Na straně 32, obrázek 4.15 je zobrazena struktura kanálu po druhém litografickém kroku. Můžete prosím vysvětlit, co bylo důvodem změny geometrie elektrod (obrázek 4.15 a) oproti původní geometrii (obrázek 4.12)? Proč by místa neodstraněného rezistu v obrázku 4.15 b bránila ve vytvoření funkčních kontaktů pro měření transportních vlastností kanálu?