Student se v rámci bakalářské práce aktivně podílel na realizaci experimentů směřujících k selektivnímu růstu GaN krystalů na SiN substrátu. V rámci bakalářské práce byly připraveny ultratenké vrstvy SiN, užitím iontového svazku dusíku o nízké energii E = 50 eV. Tyto substráty byly studentem analyzovány užitím metod XPS, SEM a AFM. Dále student samostatně zvládl techniku vytváření oxidu užitím lokální anodické oxidace. Pomocí výše uvedených technik byly připraveny substráty vhodné pro růst GaN krystalů. Výsledky budou využity k přípravě a studiu uspořádaných GaN nanostruktur. Práce studenta byla intenzivní, samostatná a přesahovala rámec zadání. Proto lze konstatovat, že student splnil všechny úkoly zadání, projevoval nadměrný zájem o danou problematiku a při práci si počínal snaživě.

Bakalářská práce Jana Hulvy je rozčleněna do osmi kapitol. V první části dává přehled o současných metodách depozice nitridu gallia a používaných substrátech, pokračuje popisem použitých experimentálních technik a následuje obsáhlá část s experimentálními výsledky. Členění práce je logické a přehledné, přesto jsem přesvědčen, že některé části mohly být z konečné verze textu vyřazeny a nahrazeny referencemi na odpovídající literaturu (např. poslední odstavec v textu o XPS, zcela zbytečný vzorec 4.1 atd.). Pokud pomineme překlepy, práce se dobře čte; obsahuje však velké množství nepřesných vyjádření („při dopadu iontů na stěnu vzniká proud“, „při měnící se vzdálenosti od povrchu se mění rezonanční frekvence raménka“, „spektrum vzorku“, str. 29 nahoře – exponenciální závislost na čem?, „ionty molekul dusíku“, „poměr metastabilních stavů“, první odstavec kap.4 atd.) a některé části textu jsou v principu chybné (např. vysvětlení funkce kolimátoru). V experimentální části autor přidává na rychlosti výkladu, bohužel na úkor podrobnější interpretace dosažených výsledků (Obr. 9.14 nemá žádný podrobnější komentář, podobně jako Obr. 9.15, kde není jasné co má čtenář na obrázku hledat. Obr. 9.20 je nedostatečně popsán, obrázek b) je zbytečné uvádět.). Vytkl bych nejistou práci s určováním chyb měření – tam kde chybové úsečky jsou, chybí komentář k tomu, jak byly získány, u několika grafů naopak bez udání důvodu chybí. V popisku Obr. 9.4 se tvrdí, že povrch je již dusíkem nasycen, což ale není nijak potvrzeno. Pro posouzení správnosti fitování XPS spekter je nutné vždy uvést tabulku s použitými parametry. Odkazy na literaturu obsahují několik chyb (Ref [32] chybí název časopisu, Ref [34] je špatně, Ref [39] je identická Ref [18]). Přes uvedené výhrady je z předloženého textu zřejmé, že objem experimentální práce silně přesahuje obvyklou bakalářskou práci, včetně nutného zvládnutí poměrně složitých experimentálních technik (XPS, LAO, depozice v UHV) a metod vyhodnocení jejich výsledků (XPS). Otázky k obhajobě:

1. Jaké typy defektů jsou obvyklé při přípravě GaN metodami MBE a jaké fyzikální vlastnosti jsou jimi ovlivněny (zmíněno na str. 17)?
2. Na str. 17 je také zmíněna žlutá luminiscence GaN na křemíkovém substrátu. Co je důvodem jejího vzniku?