Student se v rámci bakalářské práce aktivně podílel na realizaci experimentů směřujících k selektivnímu růstu GaN krystalů na substrát SiO2 modifikovaný fokusovaným iontovým svazkem (FIB). V rámci bakalářské práce byly připraveny definované defekty na povrchu SiO2. Byla vyvinuta metoda přípravy selektivního růstu GaN krystalů zahrnující pos-nitridaci Ga ostrůvků užitím iontového svazku dusíku o nízké energii E = 50 eV. Takto připravené krystaly byly studentem analyzovány užitím metod XPS, SEM a AFM. Dále byla na těchto vzorcích studentem ve spolupráci s Fyzikální ústav AV  v Praze naměřena první fotoluminiscenční spektra. Výsledky budou využity k přípravě a dalšímu studiu uspořádaných GaN nanostruktur. Práce studenta byla intenzivní a přesahovala rámec zadání. Proto lze konstatovat, že student splnil všechny úkoly zadání, projevoval nadměrný zájem o danou problematiku a při práci si počínal snaživě.

Hlavním tématem práce Petra Mareše je dosažení selektivního růstu gallium-nitridových vrstev na površích metodou FIB. V první kapitole práce pojednává o způsobech růstu tenkých vrstev a velmi stručně o metodách jejich přípravy se zaměřením na molekulární svazkovou epitaxi. Ve druhé kapitole jsou popsány vlastnosti nitridu gallia, substráty, které se používají pro růst tenkých vrstev nitridu gallia a nejběžnější metody jeho přípravy. Třetí kapitola se věnuje způsobu přípravy substrátu před depozicí a metodám analýzy po nanesení vrstvy GaN. Čtvrtá a pátá kapitola se již zabývá experimentem, tj. nanášením struktur metodou FIB a sérií depozic s cílem dosáhnout selektivního růstu.
Výhrady mám k číslování kapitol, kdy je několikrát v textu podkapitola 3. úrovně pouze jednou (1.3.1, 2.3.1, 3.1.1 atd.), nebo hlavní kapitola 4 je naopak velmi stručná a měla být včleněna na začátek 5. kapitoly. V práci je poměrně malé množství překlepů, je zde několikrát nevhodné skloňování a nepřesná formulace (str. 15 Stránského - Krastanovův mód). V textu je chyba ve vzorci (1.1). Ačkoliv se práce zabývá selektivním růstem a obsahuje pojednání o metodikách tvorby vrstev a různých způsobech analýzy, očekával bych zde také zmínku o rozličných možnostech dosažení selektivního růstu na substrátech, případně o důvodech, které k němu vedou. Na stránkách 31 a 32 jsou podrobně vysvětleny struktury vytvořené pomocí FIB techniky, u parametrů vytvářených matic chybí informace o vzájemné rozteči vytvořených děr. Ta je uvedena až v grafech na stránkách 39 a 41.
Student sice nenaplnil všechny úkoly uvedené v zadání (chybí např. vliv rychlosti depozice), hlavní úkol však splnil beze zbytku, podařilo se dosáhnout přednostního růstu GaN krystalů v oblastech substrátu, které byly modifikovány pomocí techniky FIB a dále ozřejmit vliv velikosti děr na množství krystalů. Práci hodnotím jako velmi zdařilou. Student prokázal schopnost pečlivého vedení experimentů, vhodného zpracování a prezentace výsledků. Hodnotím ji stupněm A. Otázky k obhajobě:

1. Opravte a vysvětlete vztah (1.1) na str. 15
2. Jaká byla prodleva mezi koncem depozice Ga začátkem depozice N a proč tam byla?
3. Má na selektivní růst vliv spíše tvarová bariéra (otvor vytvořený pomocí FIB) nebo materiál, na kterém GaN krystal roste (SiO2 versus Si)?
4. K závislosti počtu krystalů na rozteči děr (str. 39): při větší rozteči děr bylo přítomno přibližně stejné množství krystalků, nebyly však větší a případně proč?